型号 SCT3030ALHRC11 封装 TO-247-3 批次 22+ 产品类目 SiC(碳化硅)功率器件 电压 650V 电流 70A 总功耗W 262 产品特点 低导通电阻、高速开关 应用领域 电源、汽车、铁路、工业设备、服务 品牌 ROHM罗姆 数量 8514 通用标准 AEC-Q115(汽车级) 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体...
型号: SCT3030ALHRC11 封装: 原厂封装 批号: 22+ 数量: 500 制造商: ROHM Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: SiC 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-247N-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续漏极电流: 70 A Rds On-漏源导通电阻...
系列 SCT3x 晶体管类型 1N-Channel 商标 ROHMSemiconductor 正向跨导-最小值 9.4S 下降时间 27ns 产品类型 MOSFET 上升时间 41ns 工厂包装数量 30 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 48ns 典型接通延迟时间 22ns 可售卖地 全国 型号 SCT3030ALHRC11 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体...
SCT3030ALHRC11 数据手册 SCT3030ALHR Automotive Grade N-channel SiC power MOSFET Datasheet lOutline VDSS RDS(on) (Typ.) ID*1 PD 650V 30mΩ 70A 262W TO-247N (1) (2)(3) lInner circuit lFeatures (1) Gate (2) Drain (3) Source 1) Qualified to AEC-Q101 2) Low on-resistance *...
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制造商编号SCT3030ALHRC11 制造商ROHM(罗姆) 授权代理品牌 唯样编号A-SCT3030ALHRC11 供货自营 产品周期 量产中 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 SICFET N-CH 650V 70A TO247N 数据手册发送到邮箱 PDF资料下载 sct3030alhr-e.pdf 参数信息常见问题 ...
型号 SCT3030ALHRC11 技术参数 品牌: ROHM罗姆 型号: SCT3030ALHRC11 数量: 5000 制造商: ROHM Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: SiC 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-247N-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续漏极电流: 70 A ...
型号 SCT3030ALHRC11 技术参数 品牌: ROHM罗姆 型号: SCT3030ALHRC11 数量: 5000 制造商: ROHM Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: SiC 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-247N-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续漏极电流: 70 A ...
型号 SCT3030ALHRC11 技术参数 品牌: ROHM/罗姆 型号: SCT3030ALHRC11 批号: 21+ 数量: 14935 制造商: ROHM Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: SiC 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-247N-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续漏极...
型号: SCT3030ALHRC11 批号: new 封装: SCT3030ALHRC11 数量: 820 QQ: 1579248160 制造商: ROHM Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: SiC 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-247N-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续漏极电流: 70 A ...