立即询价 查看电话 QQ联系 ADS7951SBDBT芯片IC TSSOP30全新原装正品销售TI ADS7951SBDBT 100 TI TSSOP30 2021 ￥200.0000元1~79 PCS ￥180.0000元80~-- PCS 深圳市帝欧电子有限公司 4年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 UCC5350SBD TI SOP8 23+ 以太网收发器芯片 汽车电子 德州仪器 ...
宏微科技自主研发的SiC SBD(肖特基势垒二极管)芯片已经通过了多家终端客户的可靠性测试,并且部分产品已经实现了小批量出货。SiC SBD芯片的研发成功为宏微爱赛在未来高压大电流产品方向的发展提供了有力的技术支撑。宏微科技还完成了1200V 40m SiC MOSFET芯片的研发工作,进一步巩固了公司在高性能功率半导体领域的技术优势...
碳化硅芯片中SBD是什么制程 SBD在半导体领域中代表肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)。肖特基二极管是一种金属-半导体接触的二极管,其特点是具有非常低的正向压降和极快的开关速度。 在碳化硅(SiC)芯片中,肖特基二极管的制程涉及将金属材料(如镍、钼、钨等)沉积到碳化硅材料上,形成具有肖特基势垒的接触。这种接触允许电...
已通过可靠性验证；车规1200V 13mohm SiC MOSFET芯片正在积极开发中；自主研发的SiC SBD芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品已形成小批量出货。
瞻芯电子的产品已经广泛应用在新能源汽车、光伏与储能、充电桩、高性能工业电源等各种领域,通过了多种复杂工况考验和极限测试。7年来,公司累计交付约800万颗SiC MOSFET,1300万颗SiC SBD和4500万颗驱动芯片产品,凭借优质的产品和服务,赢得了更多客户的认可与青睐。
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图2 SiC SBD 芯片结构示意图 封装设计(工艺)维度 高结温器件开发的难点不止在于芯片本身,封装设计也有着很高的难度。传统SiC封装设计极限温度在175℃,当处于200℃温度时传统材料稳定性无法满足要求。长期工作在高温状态下会导致器件失效。 WSRSIC020120NP4-HT采用TO-247-2L封装,产品在框架的预处理工艺,框架设计,塑...
在我们要想了解碳化硅二极管的反向恢复原理前,我们首先应该要知道:“什么是碳化硅二极管?”,这个知识我在《第三代半导体SIC SBD特征及与Si SBD的比较---基础篇(2);》这篇文章中有分享,有兴趣的朋友可以返回查阅,我们一起交流学习一下。 碳化硅二极管是单极器件,因此与传统的硅快速恢复二极管(硅FRD)相比,碳化硅二极...
本发明主要涉及到功率芯片结构领域,特指一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法。背景技术:作为第三代半导体材料,SiC(碳化硅,一种半导体材料,可用于制作半导体器件和集成电路)具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子漂移速率高、热导率高、化学性质稳定等特点,使SiC基功率器件在高压、高温、高频、大功率、强...
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