本发明的实现基于驱动duvled的基本设计思路,利用sbd的如下特性来驱动duvled,提出了一种同时具有sbd结构和duvled结构的集成光电子芯片。 其理论机理为:由于sbd是单向导通的(即加正向电压时sbd导通,外加反向偏压时sbd处于截止状态),因此交流电中的正向偏压流经sbd时会被保留,交流电中的反向偏压会被sbd滤掉,交流电
2. 离子植入(Implant):这种注入方式是将离子束注入到半导体材料表面,并将其嵌入到材料内部形成结构。在芯片制造过程中,离子植入可以用于制造MOS场效应管、偏压电源、内部电阻、CAPACITOR、SBD以及欧姆接触等部件。 离子注入的主要作用如下: 1. 改变材料的电学性能:离子注入可以在半导体材料中掺杂杂质,从而改变半导体的电学...
本发明主要涉及到功率芯片结构领域,特指一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法。背景技术:作为第三代半导体材料,SiC(碳化硅,一种半导体材料,可用于制作半导体器件和集成电路)具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子漂移速率高、热导率高、化学性质稳定等特点,使SiC基功率器件在高压、高温、高频、大功率、强...