金融界 2024 年 12 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳基本半导体有限公司申请一项名为“碳化硅基集成 SBD 和 SGT 器件及其制备方法”的专利，公开号 CN 119049972 A，申请日期为 2024 年 7 月。专利摘要显示，本发明公开了一种碳化硅基集成 SBD 和 SGT 器件及其制备方法，该方法包括：获取 N 型碳化硅...
本发明公开了一种碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法,该方法包括:获取N型碳化硅衬底,并在N型碳化硅衬底的正面生长N型碳化硅外延层,在N型碳化硅衬底的背面生成漏极金属层;N型碳化硅外延层的顶部表面的第一区域依次注入P型杂质和N型杂质,以形成相邻的N型掺杂区域和第一P型掺杂区域;在第一区域中通过光刻工艺刻蚀形...
总结一下,SGT MOSFET是通过集成SBD结构的MOSFET,具有更好的性能和可靠性。制作SGT MOSFET需要准备基底、生长氧化硅层、形成栅电极、定义栅电极形状、形成掺杂区域、形成SBD结构、晶格修复和封装等步骤。这种新型MOSFET结构的出现将进一步推动集成电路技术的发展,并有望在各种应用中发挥重要作用。©...
(54)发明名称集成SBD的碳化硅SGT-MOSFET及其制备方法(57)摘要本发明涉及功率半导体技术领域,提出一种集成SBD的碳化硅SGT‑MOSFET及其制备方法,方法包括:提供衬底,在衬底上表面依次生长N‑型漂移区、P‑型掺杂区、N+型掺杂区和P+型掺杂区,P+型掺杂区位于N+型掺杂区外围;刻蚀栅极沟槽;在栅极沟槽底部拐角形成P+...
本发明公开了一种碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法,该方法包括:获取N型碳化硅衬底,并在N型碳化硅衬底的正面生长N型碳化硅外延层,在N型碳化硅衬底的背面生成漏极金属层;N型碳化硅外延层的顶部表面的第一区域依次注入P型杂质和N型杂质,以形成相邻的N型掺杂区域和第一P型掺杂区域;在第一区域中通过光刻工艺刻蚀形...
1.本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种集成sbd结构的sgt mosfet及其制作方法。 背景技术: 2.现有集成sbd的sgt mosfet采用金属层填充到沟槽顶部及沟槽侧面的方式形成肖特基接触。具体可参见公开号为cn104517960a的专利申请,其公开的技术方案通过在有源区单独划分区域的方式集成sbd,这样会导致芯片面积大,成本较高。另外...
本发明公开了一种集成SBD结构的SGTMOSFET及其制作方法.该方法包括在外延层上刻蚀形成多个沟槽,所述沟槽包括多个呈间隔设置的第一沟槽,两个相邻的第一沟槽设为一对,每对的两个第一沟槽一侧之间设有第二沟槽;在第一沟槽内制作控制栅多晶硅时,并在第二沟槽内同步制作形成源极多晶硅,在刻蚀形成连接孔时,同时将同属一...
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作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商,瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案,覆盖低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT和SiC MOSFET系列。 2024-08-06 - 产品 代理服务 技术支持 采购服务 萃锦半导体针对充电桩行业的碳化硅解决方案,有效减少充电模块磁性器件体积 萃锦开发...
上海功成半导体科技有限公司(CoolSemi)主要从事低压屏蔽栅SGT、高压超结SJ、沟槽栅场截止型IGBT、SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块IPM、功率IC的设计和研发。公司聚焦新能源、数据中心、汽车电子、智能家电以及高端消费电子领域,产品已应用于直流充电桩、通信电