芯微泰克IGBT产品正在进行客户验证 此外,民德电子透露,超薄背道代工厂芯微泰克项目于2023年12月27日实现通线投产,目前已有十多家客户在进行IGBT、SGT、特种功率及IC等产品的背道工艺试样验证,计划3月份开始逐步进入批量生产。 预计今年6月份芯微泰克月度投产的订单数量将达到5000片,年底实现月产出1.5-2万片。 芯微...
BCD/Dmos/SGT/SJ PIE工程师/技术专家 - K· 薪 某大型电子公司 更换职位 职位关闭 应用研发工程师(半导体方向) - K· 薪 杭州科百特过滤器材 其他行业 不需要融资 更换职位 职位详情 杭州 3-5年 本科 整合工程师 职位描述1, 完成DMOS/BCD新产品及新平台工艺流程定义及MES系统flow set up工作 2, ...
BCD/Dmos/SGT/SJ PIE工程师/技术专家 某大型电子公司 更换职位 视觉应用工程师-3D方向 立即沟通 海康威视 更换职位 职位关闭 BCD/Dmos/SGT/SJ PIE工程师/技术专家 - K· 薪 某大型电子公司 更换职位 招聘中 视觉应用工程师-3D方向 - K· 薪 海康威视 计算机软件 已上市 更换职位 立即沟通 职位详情...
5、在本申请一个可选实施例中,第一浓度掺杂埋区的厚度与所在的vdmos器件单元的预设耐压大小的正相关系数为0.01～0.6um/10v。 6、在本申请一个可选实施例中,bcd器件为双极结型晶体管hbt、绝缘栅双极型晶体管igbt与分离栅晶体管sgt中的至少一种。 7、在本申请一个可选实施例中,衬底区与第二浓度掺杂埋区之间设置...
本发明提供了一种半导体集成器件及其制造方法,应用于半导体技术领域.具体的,在制造方法中,其通过在BCD器件中采用浅槽隔离的方式,提高BCD器件中尤其是高压器件的耐压情况.并且,本发明提供了一种可以在同一块芯片同步生产SGT分离器件和BCD功率IC器件的方法,... 张晗,金锋,杨新杰,... 被引量: 0发表: 2022年 加载更...
华润微电子 - MOSFET,高压超结S4系列MOS,合封 MOS,IPM,双极结型晶体管,BJT,MOS MODULES,高压超结G2系列MOS,输出二极管,功率开关器件,智能功率模块,HV-MOS,功率器件,双极性结型晶体管,高压平面5K系列MOS,旁路二极管,IGBT 模块,快恢复外延二极管,碳化硅肖特基二极管,同步整流中低压SGT MOS,高压超结S6系列MOS,SGT ...
作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商,瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案,覆盖低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT和SiC MOSFET系列。 产品 发布时间 : 2024-08-06 上海贝岭(Shanghai Belling)电源管理/智能计量及SoC/EEPROM/功率器件/数据转换器芯片选型指南 目录- ...
Time zone:SGT (UTC+8)Currency:SGD (S$)Languages spoken:Malay, Mandarin, Tamil, English To get to Changi Airport, take the East West Line to Tanah Merah MRT Station (EW4/CG), then transfer to Changi Airport MRT Station (CG2). Alternatively, take the Downtown Line to Expo MRT Station ...
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