本文将聚四氟乙烯(PTFE)电沉积在sb-sno2掺杂的TiO2纳米管(TNT/Sb-SnO2/5PTFE-300)表面,以增强其电化学活性。所制备的纳米电极对苯和甲苯的去除率分别为96.2%和97.6%。在使用8个循环后,苯和甲苯的降解变化最小,证实了它的稳定性...
北京科技大学硕士生施成东首先通过高速静电纺丝技术制备PAN取向纳米纤维膜,接着经过碳化后得到PAN取向碳纳米纤维(ACFs)膜,然后利用水热法在碳纳米纤维表面生长SnO2-Sb纳米颗粒得到SnO2-Sb/ACFs复合膜,如下图1所示,最后将制备出的SnO2-Sb/ACFs复合膜作为电化学膜反应器阳极用于降解TC。 图1 SnO2-Sb/ACFs复合膜电极的...
基于此 ,作者以Al2O3-13%TiO2纳米掺锑SnO2(Sb-SnO2)粉体为原料, 采用等离子喷涂技术在分层密封筒用4145H合金钢表面制备掺杂不同质量分数Sb-SnO2的 Al2O3-13%TiO2复合陶瓷涂层, 研究了复合陶瓷涂层的润湿性能、表面能、结合强度...
SnO2:Sb膜磁控溅射透明导电膜二氧化锡采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备出SnO2:Sb透明导电膜,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究。制备的样品为多晶薄膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构。SnO2:Sb薄膜中Sb2O3的最佳掺杂比例为6%。适当调节制备参数,可以获得在可见光范围内平均...
1、有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种sb掺杂sno2的电池负极材料及其制备方法,无需使用粘结剂,直接在集流体上制备sb掺杂sno2负极材料。 2、为实现上述发明目的,本发明第一方面提供一种sb掺杂sno2的电池负极材料的制备方法,包括如下步骤: 3、s1、以电池负极集流体为阴极,通过电沉积在集流体表面得到sn-sb中间层;...
例如:掺入NiO的SnO2对酒精蒸气具有较高的响应,并在低浓度的酒精气体中有较短的响应和恢复时间;Mn掺杂的SnO2对有机挥发性物质(VOCs)气体具有最佳的敏感性能,低温时表现出优越的酒精选择性,300℃时表现出对不同体积分数酒精的良好响应-恢复特性;另外,在纳米SnO2中掺人贵金属Pt、Pd、Au的研究也屡有报道。在对SnO2...
Sb-SnO2/钛酸钾/PANI复合材料的制备 取6g所制备的SST粉体置于烧杯中,加入90mL去离子水,超声分散10min。把分散好的浆体移入三口烧瓶中,按照比例(苯胺的包覆率为25%,n(An)∶n(APS)∶n(SSA)=1∶1∶[6])加入苯胺和磺基水杨酸,混合搅拌,用冰水浴控制温度在25℃以下,将16mL的1mol/L过硫酸铵逐滴滴入上述体系...
中文名称:锑掺杂二氧化锡(SnO2:Sb)透明导电薄膜 纯度:99.9% 存储:-20℃冷藏、密封、避光 保存时间:1年 用途:仅用于科研,不能用于人体 薄膜是一种具有相对较小厚度的材料层。通常,薄膜的厚度在纳米级别到微米级别之间。这种薄层的特性使得薄膜在许多应用领域都具有重要的作用。
当前,氧化物及其复合氧化物薄膜的研究十分引人注目,特别是采用SnO2为本要成分的SnO2掺Sb(简称ATO)薄膜。 1.导电机理 1.1纯SnO2薄膜 SnO2是一种n型半导体,禁带宽度Eg大于3eV,有高的透光性。SnO2薄膜的特点是膜强度好,具有优良的化学稳定性,具有光学各向异性的特点。如果SnO2薄膜的成分太纯,则导电性和透明性互相...
凝胶-燃烧法合成纳米晶SnO2粉体 溶胶—凝胶法合成二氧化铈纳米晶 ZnO:Tb纳米晶/ 纳米晶复合物Mg-Ni-V_2O_5 磁性Fe_3O_4纳米晶 醇-水法制备纳米晶NiO粉体 纳米晶固溶体Ce0.8Nd0.2O2-δ 棒状LaF_3:Eu~(3+)纳米晶 纳米晶羟基磷灰石复合胶原材料 反应型表面活性剂包覆CdTe纳米晶/ 纳米晶ZrO2∶Pr3+与ZrO2...