基于此 ,作者以Al2O3-13%TiO2纳米掺锑SnO2(Sb-SnO2)粉体为原料, 采用等离子喷涂技术在分层密封筒用4145H合金钢表面制备掺杂不同质量分数Sb-SnO2的 Al2O3-13%TiO2复合陶瓷涂层, 研究了复合陶瓷涂层的润湿性能、表面能、结合强度...
本文将聚四氟乙烯(PTFE)电沉积在sb-sno2掺杂的TiO2纳米管(TNT/Sb-SnO2/5PTFE-300)表面,以增强其电化学活性。所制备的纳米电极对苯和甲苯的去除率分别为96.2%和97.6%。在使用8个循环后,苯和甲苯的降解变化最小,证实了它的稳定性...
中文名称:锑掺杂二氧化锡(SnO2:Sb)透明导电薄膜 纯度:99.9% 存储:-20℃冷藏、密封、避光 保存时间:1年 用途:仅用于科研,不能用于人体 薄膜是一种具有相对较小厚度的材料层。通常,薄膜的厚度在纳米级别到微米级别之间。这种薄层的特性使得薄膜在许多应用领域都具有重要的作用。 薄膜可以由各种不同的材料构成,包括...
Sb掺杂 纳米SnO2 多孔Ti电极 甲基橙利用热分解方法在多孔钛上制备了Sb掺杂纳米SnO2电极。也研究了该电极降解甲基橙的电化学性能。SEM和XRD测试表明,在多孔钛基体上可获得完整的、无裂缝的涂层。无裂缝的涂层表面由粒径范围在80-230 nm的Sb掺杂SnO2纳米颗粒组成。HRTEM测试结果表明,SnO2纳米颗粒由5-6 nm细小颗粒构成。
在对SnO2纳米材料进行稀土掺杂方面,人们也做了不少工作,但Sb掺杂SnO2一维纳米材料的气敏性能研究较少。云南师范大学的艾鹏等研究人员对SnO2一维纳米材料进行Sb掺杂,并研究了其对乙二醇、乙醇和丙酮等有机挥发性液体的气敏特性。 Sb掺杂SnO2纳米带的SEM图 本研究SnO2纳米带器件的制备采用了北京埃德万斯离子束研究所股份...
湿化学共沉淀法制备Sb掺杂SnO2粉体导电机理研究
Sb 掺杂 SnO2(ATO) 粉体的合成与表征 张建荣 高濂 ( 中国科学院上海硅酸盐研究所 高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室 上海 5 ) 摘要以粉和 3 为原料 采用共沉淀法制备了纳米粉 . G-D 及 F IR 结果表明 45 C 以 前前驱体已失去全部水分
一步提高Sn02材料的导电性,向其中掺杂了F,Sb,Mo,Nb等元素,其中Sb掺杂Sn02(anti mony.doped ti n oxi de简称ATO)具有更为显著的导电性能而得到广泛的研究。sb掺杂Sn02进入晶格以后,替 代sn元素,形成了n.型半导体,其电导率比纯SnO:提高了约3个数量级,并且导电性还可以由掺 杂量进行调节,因此成为一种新型的...
Sb掺杂SnO2薄膜 1. Sb-doped SnO_2 films(antimony-doped tin oxide,ATO) were prepared by chemical vapor deposition(CVD) method to analyze the effect of dopant amount on the structure and properties of the ATO films. 采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构...
本文分别用XRD,TG/DSC/DTG和TEM等对Nd和Sb掺杂SnO2纳米导电粉体的性能进行了研究.XRD测量结果表明,Sb掺杂SnO2为替代型掺杂,Nd8+与Sn4+和O2-结合形成Nd2Sn2O7.TG/DSC/DTA结果表明,750℃以前前驱体已失去全部水分,并完全转化为氧化物.TEM测定结果表明,该粉体的粒径大约为20-30nm.用四探针法测定该粉体的电阻...