RRAM(Resistive Random-Access Memory)是一种基于电阻变化实现数据存储的非挥发性记忆体技术。其核心原理是通
RAM、RRAM和DRAM是三种不同类型的内存技术,它们各自具有独特的特性和应用场景。首先,我们来明确这三者的基本定义。 RAM,即随机存取存储器,是计算机中用于临时存储数据的设备。它可以随时读写,但断电后数据会丢失。RAM进一步分为DRAM和SRAM,其中DRAM,即动态随机存取存储器,利用电容储存电荷来存储数据,需要定时刷新电路以...
RRAM,阻变式存储器(Resistive Random Access Memory)的简称, RRAM是一种“根据施加在金属氧化物(Metal Oxide)上电压的不同,使材料的电阻在高阻态和低阻态间发生相应变化,从而开启或阻断电流流动通道,并利用这种性质储存各种信息的内存,其可显著提高耐久性和数据传输速度的可擦写内存技术,也被认为是电路的第四种基本...
而RRAM,指的是Resistive Random Access Memory,这是最近才新研究的技术,并不成熟。利用Memositor(一种记忆电阻,其阻值会根据流过的电流而变化)作为存储单元,优点十分明显,并且和DRAM比起来在array中可以减少控制晶体管的数量,在CMOS chip上已经有所应用。 举crossbar为例,我在一篇文章上看到的芯片 其基本的寻址模式...
英飞凌声称,台积电提供的带有RRAM的Aurix微控制器将提供更高的抗扰度,并允许按位写入而无需擦除,从而实现优于嵌入式闪存的性能。英飞凌表示,循环耐力和数据保留与闪存相当。 台积电业务发展高级副总裁Kevin Zhang表示,台积电和英飞凌已经在一系列不同应用中就RRAM技术进行了近十年的合作,将TC4x迁移到RRAM将为在微控制...
DRAM，即动态随机存取存储器，依赖电容储存电荷来保存数据。由于其结构，需要定时刷新电路以维持数据稳定。虽然读写速度较SRAM慢，但由于其容量大、成本低，被广泛应用于计算机、智能手机和服务器等主存储器中。SRAM，即静态随机存取存储器，则采用晶体管来存储数据，因此读写速度更快。但制造成本较高，通常用于对速度...
而RRAM，即电阻式随机存取存储器，是一种新研究的技术，尚不成熟。它以记忆电阻作为存储单元，阻值会随流过的电流变化，此技术有明显优势，相较于DRAM在阵列中可减少控制晶体管的数量，已在CMOS芯片上应用。以交叉矩阵为例，RRAM的寻址模式在交叉矩阵外部进行控制，通过施加不同的电压对相应地址进行读取和...
RRAM 英文全称Resistance RAM 中文解释非挥发性阻抗存储器 缩写分类电子电工, SOS智能目标分析拯救系统 TADSDVD目标获取和指定 dpi每英寸的打印像素 ECP延长能力端口 IPP因特网打印协议 MPT微针点压电 ppm页/分 TA全彩色感热式热感打印 TB热泡式 TET文本增强技术...
一、RRAM是什么? RRAM即阻变式存储器。 1、RRAM的组成 典型的RRAM设备由两个金属电极夹一个薄介电层组成,其中介电层作为离子传输和存储介质。选用不同的材料,实际机制会有显着差别,但所有RRAM设备间的共同连接是电场或是热源,它们引起存储介质离子运动和局部结构变化,反过来又造成设备电阻的显着变化。在3D架构中,...