MRAM与RRAM以其各自的显著特性与权衡优势──包括可靠性、存储密度、性能及成本等方面──为用户提供了多样化的选择及针对不同用例的优化方案。 以MRAM为例,它在极端环境下依然能保持出色的可靠性,并展现出卓越的功耗、性能与面积(PPA)综合指标。MRAM最初为满足航空航天领域的严苛要求而研发,其通过可调磁层设计实现了...
MRAM是一种基于隧穿磁阻效应的技术,MRAM的产品主要适用于容量要求低的特殊应用领域以及新兴的IoT嵌入式存储领域,该技术拥有读写次数无限、写入速度快(写入时间可低至2.3n)、功耗低、和逻辑芯片整合度高的特点。 目前主流的MRAM技术主要以美国Everspin公司推出的STT-MRAM(垂直混合自旋扭矩转换磁性随机存储器)为代表。Eve...
【#MRAM与RRAM:重塑嵌入式内存与应用的未来格局#】 嵌入式闪存及其对应的离片NOR闪存,在非易失性内存领域(即用于持久性或长期数据存储)多年来占据着标准地位。然而,随着工艺技术尺寸缩小至28nm以下,这些传...
MRAM与RRAM以其各自的显著特性与权衡优势──包括可靠性、存储密度、性能及成本等方面──为用户提供了多样化的选择及针对不同用例的优化方案。 以MRAM为例,它在极端环境下依然能保持出色的可靠性,并展现出卓越的功耗、性能与面积(PPA)综合指标。MRAM最初为满足航空航天领域的严苛要求而研发,其通过可调磁层设计实现了...
MRAM:卓越的可靠性与性能 从核心AI技术到借助云端连接的边缘设备,各类应用均呈现出独特的内存需求。MRAM与RRAM以其各自的显著特性与权衡优势──包括可靠性、存储密度、性能及成本等方面──为用户提供了多样化的选择及针对不同用例的优化方案。 以MRAM为例,它在极端环境下依然能保持出色的可靠性,并展现出卓越的功耗...
取存储器(MRAM)、电阻式随机存取存储器 (RRAM)、相变随机存取存储器 (PCRAM)、铁电RAM等。 台积电近年来积极推动将嵌入式闪存(sFlash)改成MRAM和ReRAM等新型存储制程。 MRAM 理论上讲,MRAM,全称是Magnetoresistive Random Access Memory,是一种非易失性(Non-Volatile)的磁阻式随机存取存储器,是一种基于隧穿磁阻效...
其中有3种存储器表现突出—— MRAM、RRAM和PCRAM。 存储器,作为半导体元器件中重要的组成部分,在半导体产品中比重所占高达20%,是一个重要的半导体产品类型。目前存储器行业的主要矛盾是日益增长的终端产品性能需求和尚未出现重大突破的技术之间的矛盾,具体一点来说,是内存和外存之间巨大的性能差异造成了电子产品性能提升...
实现了以磁阻存储器（MRAM）、铁电存储器（FeRAM）、相变存储器（PCM）和阻变存储器（RRAM，特指应用...
其中有3种存储器表现突出 —— MRAM、RRAM和PCRAM。 存储器,作为半导体元器件中重要的组成部分,在半导体产品中比重所占高达20%,是一个重要的半导体产品类型。目前存储器行业的主要矛盾是日益增长的终端产品性能需求和尚未出现重大突破的技术之间的矛盾,具体一点来说,是内存和外存之间巨大的性能差异造成了电子产品性能提...
RRAM:成本最低且密度最高 尽管MRAM已然成为传统嵌入式闪存的流行替代选项,RRAM在市场认知与采纳程度上尚处于初期阶段。RRAM借助介电层进行数据存储,相较于MRAM,它对磁场不敏感,但在极端环境与条件下的可靠性略逊一筹。 低成本与低能耗的特性,加之高密度及良好的可扩展性,令RRAM成为物联网设备、可穿戴设备、室内传...