嵌入式RRAM (Embedded RRAM):嵌入式RRAM则是将RRAM单元直接整合进逻辑电路或SoC(System on Chip)中。在CMOS逻辑工艺平台(如40nm、28nm或更先进工艺)中加入RRAM存储层,从而在同一晶圆和同一颗芯片上实现逻辑电路与存储单元的高度集成。这种方案有利于降低系统复杂度、缩小PCB面积、减少功耗并提高访问速度。例如,在显示驱...
近年来半导体业界和学术界采用基于电阻值变化作为信息存储方式,实现了以磁阻存储器(MRAM)、铁电存储器(FeRAM)、相变存储器(PCM)和阻变存储器(RRAM,特指应用于存储领域的忆阻器)等为代表的新型非易失性存储器。其中,忆阻器具有结构简单、可集成度高、功耗低、操作速度快、非破坏性读取以及与CMOS工艺兼容等优点,因此...
TechInsights拆解了Fanstel EV- BM 15 EV Kit,找到了Nordic BT 5.4 SoC nRF54L15器件。自2019年以来,台积电提供了40纳米RRAM平台,现在的22纳米RRAM是台积电的第二代eRRAM。这是业界首个拥有最先进的22纳米CMOS技术的RRAM,可与嵌入式STT-MRAM相媲美。 eRRAM内存块密度为17.5 bit/ µm2,位线方向的RRAM层宽度为1...
嵌入式RRAM (Embedded RRAM):嵌入式RRAM则是将RRAM单元直接整合进逻辑电路或SoC(System on Chip)中。在CMOS逻辑工艺平台(如40nm、28nm或更先进工艺)中加入RRAM存储层,从而在同一晶圆和同一颗芯片上实现逻辑电路与存储单元的高度集成。这种方案有利于降低系统复杂度、缩小PCB面积、减少功耗并提高访问速度。例如,在显示驱...
这种类型的切换在需要准确的导电变化的神经形态学应用中非常重要。为了解决与人工智能相关的问题,将RRAM与CMOS技术集成可以被证明非常有效。神经形态计算架构需要低功耗和高密度的结构,每个单元至少具有5位/单元的存储。基于RRAM的神经网络的原型,采用Ag掺杂SiO𝑥N𝑦结构的8×8 1T1R阵列。
在CMOS逻辑工艺平台(如40nm、28nm或更先进工艺)中加入RRAM存储层,从而在同一晶圆和同一颗芯片上实现逻辑电路与存储单元的高度集成。这种方案有利于降低系统复杂度、缩小PCB面积、减少功耗并提高访问速度。例如,在显示驱动IC(DDIC)中集成RRAM用于存储Demura数据,直接在片上实现多次可编程且非易失的存储方案。
近年来,RRAM 因其结构简单、保持时间长、运行速度快、超低功耗运行能力、能够在不影响器件性能的情况下扩展到更低的尺寸以及可进行三维集成的可能性而日益受到重视。过去几年的研究表明,RRAM 是后 CMOS 时代设计高效、智能和安全计算系统的最合适候选者之一。
在RRAM中发生模拟或突变的切换。这种类型的切换在需要准确的导电变化的神经形态学应用中非常重要。为了解决与人工智能相关的问题,将RRAM与CMOS技术集成可以被证明非常有效。神经形态计算架构需要低功耗和高密度的结构,每个单元至少具有5位/单元的存储。基于RRAM的神经网络的原型,采用Ag掺杂SiO...
在RRAM中发生模拟或突变的切换。这种类型的切换在需要准确的导电变化的神经形态学应用中非常重要。为了解决与人工智能相关的问题,将RRAM与CMOS技术集成可以被证明非常有效。神经形态计算架构需要低功耗和高密度的结构,每个单元至少具有5位/单元的存储。基于RRAM的神经网络的原型,采用Ag掺杂SiO...
相比于 CMOS 器件，目前 RRAM 的局限性主要体现在编写周期有限上，因此目前 RRAM 主要适用于 AI 推理等操作，而相信随着工艺的演进，得到更高编写周期的 RRAM 也是非常有希望的。另一个局限性是 RRAM 阻值的波动性，而此问题在数字化存算一体中可以得到很好的解决。矽说在《存算一体是大势所趋还是审美疲劳？》一...