芯片于UMC完成180nm的CMOS前道工艺,共生长5层金属(到V5),随后出Fab,送到所里生长RRAM和M6完成后道工艺,版图需要遵守工艺需求,另外需要添加光学标记方便所里设备做对准。工艺图如下所示: 需要长RRAM的部分:先在V5上长一层RRAM(版名称为RRAM-RAM),即RRAM的下电极连接在V5上,然后在RRAM上再长一层金属通孔(版名称
逐步演变为图8(b)所示的Recess Gate(RG)晶体管结构，再到目前先进DRAM工艺中普遍采用的Burried WL(BWL...
需通过标准逻辑工艺或特定的存储器工艺整合,在PCB板上以独立芯片形态存在。 2 嵌入式RRAM (Embedded RRAM):嵌入式RRAM则是将RRAM单元直接整合进逻辑电路或SoC(System on Chip)中。在CMOS逻辑工艺平台(如40nm、28nm或更先进工艺)中加入RRAM存储层,从而在同一晶圆和同一颗芯片上实现逻辑电路与存储单元的高度集成。这种...
在步骤1620中,根据掩模层,执行第一图案化工艺以图案化覆盖层和顶部电极层。第一图案化工艺形成顶部电极。 在步骤1622中,在一些实施例中,可以在顶部电极的相对侧上形成侧壁间隔件。 在步骤1624中,根据掩模层和侧壁间隔件,执行第二图案化工艺以图案化介电数据存储层和多层底部电极。第二图案化工艺形成多层底部电极。
随着半导体工艺的进步，传统浮动栅技术非易失性存储器的扩展性已面临挑战。因此，像RRAM和MRAM这样的新兴技术，因其与先进半导体工艺兼容而备受青睐。在标准CMOS工艺的基础上，这两种技术仅需增加少量掩模即可实现。精简工艺步骤和减少掩模数量显得尤为重要，特别是在高压（HV）和双极CMOS-DMOS（BCD）等复杂工艺中。【...
金属氧化物RRAM器件的制造主要使用传统的半导体制造工具,它与需要低温 (<400°C) 的硅 CMOS 后道 (back-end-of-line,BEOL) 工艺兼容。为了沉淀阻变氧化物层,需要使用两种典型的方法:(1)物理气相沉淀(physical vapor deposition,PVD)即从金属靶材溅射,然后在氧气环境中进行退火或在氧气环境中进行反应溅射,溅射温度...
2.许多现代电子器件包含配置为存储数据的电子存储器。电子存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器。易失性存储器在通电时存储数据,而非易失性存储器能够在断电时存储数据。由于电阻式随机存取存储器(rram)的简单的结构以及与cmos逻辑制造工艺的兼容性,因此是下一代非易失性存储器技术的一个有前景的候选。
目前可用于存算一体的成熟存储器有NOR FLASH、SRAM、DRAM、RRAM、MRAM等。相比之下，RRAM具备低功耗、高计算精度、高能效比和制造兼容CMOS工艺等优势：也就是说，AI计算整体市场的驱动，引发了RRAM在存算一体这一方向的爆发。随着人工智能市场规模不断扩大，属于RRAM的市场爆发很快就会到来，学界、产界难免要“蜂拥...
例如，他们分别计算了NMOS碳纳米管晶体管和PMOS晶体管的工艺流程，并在制造任何将它们组合成CMOS电路的晶圆之前，分别为每一个晶圆制造出单独的晶圆。 他们也分别制造了RRAM的晶圆，然后计算出与该层的垂直连接。 “这种循序渐进的方法确实消除了很多风险……在我们学习的过程中。 ” Ferguson说，下一个重要的里程碑...
2、,从而使得在大批量生产时其成本能与体硅工艺大体上相当。当半导体业界向22nm技术节点挺进时,一些制造厂商已经开始考虑如何从平面CMOS晶体管向三维(3D) FinFET器件结构的过渡问题。与平面晶体管相比,FinFET器件改进了对沟道的控制,从而减小了短沟道效应。平面晶体管的栅极位于沟道的正上方,而FinFET器件的栅极则是...