提升运算能效比。同时，RRAM工艺逐渐成熟，可以支持大算力芯片的量产。此时，RRAM具备的“低功耗、低延迟性、高密度”等优势愈发凸显，通过将RRAM存储技术与存算一体架构结合，无疑会产生1+1>2的效果，从而打造高算力、高能效比的AI芯片。
1. RRAM (Resistive Random Access Memory, Non-volatile Memory),又叫忆阻器。 RRAM一一般有两种类型OxRAM (oxygen vacancy based RRAM) 和CBRAM (conductive-bridge RAM),但都是基于filamentary mechanism: 图1 filamentary mechanism 图2 OxRAM Principles 图3 Trap-Assisted-Tunneling filamentary mechanism:通过在...
而亿铸科技这颗存算一体POC芯片是首颗基于忆阻器（RRAM）的面向数据中心、云计算、自动驾驶等大算力场景的存算一体芯片。该芯片的能效比表现，远超预期——能够达到同等工艺下传统架构AI算力芯片的20倍以上。现如今，随着工艺的不断成熟，学界关于忆阻器（RRAM）存算一体的研究正愈发积极：在2022年度ISSCC会议上，台...
必应词典为您提供rram的释义,网络释义: 阻变存储器(resistance random access memory);电阻式随机存储器(Resistive random-access memory);电阻式记忆体;
阻变随机存储器(下称 “RRAM”)被视为新兴内存技术中的杰出候选者之一,其主要原因是低功耗、非易失数据存储能力、高密度及具备逻辑计算的能力,以及具备改革现有工作存储器层次的潜力。得益于 RRAM 的各种优势,本文将介绍 RRAM 具有的各种潜在的应用。 存内计算 ...
RRAM设计和物理机制 RRAM的器件结构是简单的金属-绝缘体-金属(MIM)结构,类似电容器,其中的切换层夹在两个金属电极之间。RRAM细胞的示意图如图3所示。MIM结构的电阻可以通过施加适当的电信号而改变,并且设备会保持当前的电阻状态,直到施加适当的信号以改变其电阻,代表了器件的非易失性质[37, 38]。由于RRAM器件的简单...
全面介绍新型存储技术:PCM/MRAM/RRAM/ReRAM-MRAM是一种基于隧穿磁阻效应的技术,MRAM的产品主要适用于容量要求低的特殊应用领域以及新兴的IoT嵌入式存储领域,该技术拥有读写次数无限、写入速度快(写入时间可低至2.3n)、功耗低、和逻辑芯片整合度高的特点。
百度百科给出的解释是:RRAM是一种“根据施加在金属氧化物(Metal Oxide)上的电压的不同,使材料的电阻在高阻态和低阻态间发生相应变化,从而开启或阻断电流流动通道,并利用这种性质储存各种信息的内存”。简单来说RRAM是一种新型电脑存储器,它基于一种新的半导体材料,依赖于温度和电压来存储数据。
RAM、RRAM和DRAM是三种不同类型的内存技术,它们各自具有独特的特性和应用场景。首先,我们来明确这三者的基本定义。 RAM,即随机存取存储器,是计算机中用于临时存储数据的设备。它可以随时读写,但断电后数据会丢失。RAM进一步分为DRAM和SRAM,其中DRAM,即动态随机存取存储器,利用电容储存电荷来存储数据,需要定时刷新电路以...