士兰微电子此次推出的RC-IGBT系列产品可以实现最高1350V的额定击穿电压,同时针对家用电磁炉工作频率提升的应用需求,重新优化了器件的饱和压降Vce(sat)以及内部集成二极管的正向压降VF,从而实现器件在开关过程中具有低损耗的要求。值得注意的是,为了达到上述目标要求,器件工程师重新优化了IGBT的器件晶胞结构,调整器件发射区...
如图1及图2所示的是一种传统的rc-igbt器件,其中图1是采用重复原胞结构,图2是采用dummy结构,以n型rc-igbt为例说明,p型同样适用。正面工艺同传统igbt工艺一致,通过在igbt背面增加一步背面光刻,注入形成n+区域,达到将二极管集成到igbt器件内部的目的。rc-igbt可以实现用单个器件取代igbt与续流二极管并连,应用在功率...
RC-IGBT器件及其工艺方法专利信息由爱企查专利频道提供,RC-IGBT器件及其工艺方法说明:本发明公开了一种RC-IGBT器件,在衬底正面具有栅极沟槽及体区,体区中还具有第一重掺杂P型区及第一...专利查询请上爱企查
RC-IGBT器件及其工艺方法 (57)摘要 本发明公开了一种RC‑IGBT器件,在衬底正面具有栅极沟槽及体区,体区中还具有第一重掺杂P型区及第一重掺杂N型区,衬底表面具有层间介质及金属引出的发射极,在衬底背面表层从内向外一次具有N型缓冲层及第二重掺杂P型区,还具有第二重掺杂N型区,所述第二重掺杂P型区与第二重...