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TO252、TO263与QFN8*8封装尺寸由图3、图4、图5给出,通过对比可以得到：1、TO252封装尺寸为6.6X10X2.3(mm)；TO263封装尺寸为10.2x15.15x4.7(mm)；QFN8*8封装尺寸为8x8x1(mm)。2、TO252、TO263和QFN8*8占电路板面积分别为66mm2、154mm2和64mm2。QFN所占电路板面积比TO263减小50%以上。3、TO252...
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封装: QFN-8 批号: 21+ 数量: 15000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 4.5V 最大电源电压: 9.5V 长度: 3.7mm 宽度: 8.3mm 高度: 2.9mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不...
封装 WPDFN8 批号 新年份 数量 999999 制造商 Micron Technology Inc. 存储器类型 非易失 存储器格式 闪存 存储容量 256Mb(32M x 8) 存储器接口 SPI 时钟频率 133 MHz 写周期时间 - 字,页 8ms,2.8ms 电压- 供电 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型 表面贴装型...
封装: QFN8 批号: 23+ 数量: 10000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-1212-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 5.6 A Rds On-漏源导通电阻: 25 mOhms Vgs - 栅极...
FDMS3669S MOS场效应管 双N沟道30V 13A/18A QFN8封装 全新现货 深圳市佰典旺科技有限公司5年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥3.50 SI7852DP-T1-GE3 7852 QFN8 场效应管MOS 电子元器件 深圳市福田区华博泰微电子经营部10年 月均发货速度:暂无记录 ...
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