Diotec推出全新高功率无铅的QFN5*6封装的MOSFET,该SMD封装面积有30平方毫米,可挑战传统的SMD封装D2PAK(TO263)和DPAK(TO252),不管是在开关特性还是热阻都有具大
封装 PQFN5X68L 批号 23+ 数量 2854500 湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限) 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 HEXFET® FET 类型 2 N-通道(双) FET 功能 标准 漏源电压(Vdss) 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 43A(Tc) 不同Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 25µA...
封装 QFN8(5X6) 包装方式 编带 芯片 台积电 工艺 长电封测代工 FET类型 增强型 批号 24+ 安装方式 表面贴片 产地 中国 可售卖地 全国 产品保证 原装 数量 99999 品牌 VBsemi/微碧半导体 型号 IRFH5301TRPBF-VB PDF资料 IRFH5301TRPBF-VB.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体...
型号 M25P32-VMP6TG 技术参数 品牌: micron 镁光 型号: M25P32-VMP6TG 封装: QFN-8 5x6 批号: 23+ 数量: 10000 制造商: Micron Technology 产品种类: NOR闪存 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: VFDFPN-8 系列: M25P32 存储容量: 32 Mbit 电源电压-最小: 2.7 V 电源电压-最大: 3.6 V 接口类型:...
封装: DUAL PQFN 5X6 8L 批号: 22+ 数量: 1000 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: Dual-PQFN-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 2 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 43 A Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 ...
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封装: QFN8(5X6) 包装方式: 编带 芯片: 台积电 工艺: 长电封测代工 FET类型: 增强型 批号: 24+ 安装方式: 表面贴片 产地: 中国 可售卖地: 全国 产品保证: 原装 数量: 99999 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同...
封装类型PQFN 5 x 6 安装类型贴片 引脚数目8 最大漏源电阻值6.8 mΩ 通道模式增强 最大栅阈值电压2.35V 最小栅阈值电压1.35V 最大功率耗散46 W 最大栅源电压-20 V、+20 V 长度6mm 每片芯片元件数目1 典型栅极电荷@Vgs41 nC @ 15 V 宽度5mm ...
【全新原装】AO6508 AON6508 6508 集成电路 IC芯片 QFN-8脚封装 1.6元￥1.6 活动结束时间:01-01 08:00 累计销量 : 0件 TAG标签: 封装集成电路原装芯片 立即领券复制优惠商品详情 特别推荐 巨森袋鼠手提包横款商务牛皮单肩 原价￥13816 件 50元券￥88 胸包男士包包单肩包斜挎包牛津布 原价￥11814 件 50...
批号 1123+5 数量 2628 制造商 Texas Instruments 产品种类 ESD 抑制器/TVS 二极管 RoHS 是 极性 Unidirectional 工作电压 5.5 V 通道数量 6 Channel 端接类型 SMD/SMT 封装/ 箱体 UQFN-8 击穿电压 6 V 钳位电压 20 V Vesd - 静电放电电压触点 8 kV Vesd - 静电放电电压气隙 12 kV ...