在同一硅片两边分别形成N型半导体和P型半导体,交界面处就形成了PN结。PN的形成是多数载流子扩散和少数载流子漂移的结果。PN结具有单向导电性: PN结加正向电压(P区接电源正极,N区接电源负极)时,正向电阻很小,PN结导通,可以形成较大的正向电流。PN结加反向电压(P区接电源负极,N区接电源正极)时,反向电阻很大,PN结截止...
1、N型半导体:在单晶硅材料中,掺杂施主原子磷P,磷有5个价电子,可以向硅半导体导带输送电子,形成多电子结构,导电主要由电子决定。 2、P型半导体:在单晶硅材料中,掺杂受主原子硼B,硼有3个价电子,有一个空穴位置,可以接受半导体价带电子,形成多空穴结构,导电主要由空穴决定。 3、p-n结:材料中具有n型半导体结构和...
• 定义：PN结是通过将P型半导体与N型半导体结合在同一半导体基底（通常是硅或锗）上而形成的。这两种不同类型的半导体材料在交界处形成一个特殊的区域，即PN结。• 构成：在P型半导体中，通过引入受主杂质（如硼或铟）来增加空穴浓度；而在N型半导体中，则是通过掺入施主杂质（如磷或砷）来提高电子浓度。PN...
PN结的空间电荷区(Space Charge Region, SCR),也称为耗尽层或耗尽区,因为空间电荷区起着阻挡载流子往对方输运的作用,是PN结中因载流子(电子和空穴)的重新组合而形成的少数载流子耗尽的区域。 当P型和N型半导体材料接触并形成PN结时,P型半导体中的空穴(正电荷载流子)和N型半导体中的电子(负电荷载流子)会因浓度梯度...
PN结的形成:当在一块本征半导体(如一片半导体单晶片)两边加上P型、N型半导体时,则在两部分的接触面上形成一个特殊的薄层,成为PN结。所谓薄层是指这一区域形成了原先所没有的内建电场,简称内电场。PN结形成过程具体如下:首先在一片半导体单晶体上制作出P区、N区,在P区和N区的交界处,因浓度差的原因,P区的多...
解析 最佳答案 必须先有一个P型衬底,然后在通过在P衬底表面氧化,切除一块氧化膜,然后再在切除位置向里面扩散磷(磷的化学式是P,LS说错了)就可以了 大概就是个这,其中的细节还是很多的,这个要牵扯到工艺结果一 题目 怎样在p型半导体上形成pn结 答案 必须先有一个P型衬底,然后在通过在P衬底表面氧化,切除一块...
【p－n结】p-n结是半导体中的一种重要结构，它是由一个n型半导体区域和一个p型半导体区域紧密相邻所形成的。这种结构在电子学中有着广泛的应用，如二极管、晶体管等器件的制造都离不开它。在一块半导体中，通过掺入不同类型的杂质，可以形成n型和p型两个区域。当这两个区域相邻接时，它们之间的交界层便构成...
PN结的形成是通过将p型半导体与n型半导体相互接触，形成了一个独特的界面区域。这一区域内的电子从n型半导体迁移到p型半导体，空穴则从p型半导体迁移到n型半导体，从而在PN结内部形成了一个内建电场。尽管内建电场的存在使得PN结在宏观层面上呈现出非平衡电荷分布，但这并不影响其整体电中性的特性。综上...
正偏pn结和肖特基势垒结的电流-电压特性 金属-半导体的欧姆接触特性 非均匀掺杂pn结的特性 pn结的常规制备技术 1.pn结的基本结构 整个半导体材料时一块单晶半导体,其中掺入受主杂质原子的形成p区,相邻的另一区掺入施主杂质原子形成n区。分割pn区的界面为冶金结。
P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体,亦可称为空穴型半导体。主要靠空穴导电。 N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成N型半导体,亦可称为电子型半导体。主要靠自由电子导电 PN结:采用不同的掺杂工艺,将P型...