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1个N沟道 耐压:30V 电流:120A 品牌名称Nexperia(安世) 商品型号PSMN1R1-30PL,127 商品编号C6256103 商品封装TO-220AB 包装方式 管装 商品毛重 1克(g) 数据手册 商品参数 参数纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 30V 连续漏极电流(Id) 120A 导通电阻...
爱企查为您提供深圳市微碧半导体有限公司MOS管 PSMN1R1-30PL-VB TO-220微碧半导体场效应管电子元器件详询等产品,您可以查看公司工商信息、主营业务、详细的商品参数、图片、价格等信息,并联系商家咨询底价。欲了解更多晶体管、vbsemi芯片、场效应管、mos管插件、丝印贴片
NXP恩智浦完整型号:PSMN1R1-30PL,127 制造商:NXP(恩智浦半导体) 描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB 系列:- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):30V 电流- 连续漏极 (Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.3 毫欧 @ 25A,...
NXP PSMN1R1-30PL MOSFET datasheet http://www.manuallib.com/nxp/psmn1r1-30pl-mosfet-datasheet.html Logic level N-channel MOSFET in TO-220 package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment.Manual...
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场效应管(MOSFET)> PSMN1R1-30PL-VB 温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准 收藏 对比 N沟道,电流:140A,耐压:30V 描述 TO220;N—Channel沟道,30V;140A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V; 品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 PSMN1R1-30PL-VB ...
型号:PSMN1R1-30PL TO-220 供应商信息 公司地址深圳市宝安区西乡黄田甲田工业区14栋一楼统一社会信用代码914403006939676002 组织机构代码69396760-0注册资本200万人民币 营业期限41624-12-07至无固定期限经营状态存续 公司类型有限责任公司成立日期2009-08-28 ...
PSMN1R1-30PL,127由Nexperia设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 PSMN1R1-30PL,127 价格参考￥ 20.01 。 Nexperia PSMN1R1-30PL,127 封装/规格: SOT78, MOS管 N-channel Id=120A VDS=30V SOT78。你可以下载 PSMN1R1-30PL,127 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料...
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