二、光阻剥离(PR Strip)完成掩膜使命后的光阻需彻底去除,否则残留物会导致:后续工艺污染(如金属沉积时引入缺陷)器件短路或断路(残留光阻阻碍导电层连接)可靠性下降(界面结合力劣化)剥离目标:彻底清除光阻,同时避免损伤硅片表面材料(如金属、氧化物、低k介质等)。
无锡华润上华科技有限公司新购1台氧化层去除(OXIDE REMOVE)设备和2台光刻胶去除清洗机(PR Strip)(标段编号:T99000121SZ0045) 通过,已经完成评标工作,结果公示如下: 一、中标候选人名单及排序 子标段名称 第一中标候选人 第二中标候选人 名称 金额 名称 金额 新购1台氧化层去除(OXIDE REMOVE)设备 无锡亚电智能...
LOCTITE BLACK WEATHERSTRIP ADHESIVE LOCTITE BLUE THREADLOCKER 242 LOCTITE BLUE THREADLOCKER 243 LOCTITE BLUE THREADLOCKER STICK LOCTITE C 110 LOCTITE C 11054 LOCTITE C 400 LOCTITE C 502 LOCTITE C 511 LOCTITE C 910-3 LOCTITE CAT 11 LOCTITE CAT 11 LOCTITE CAT 14 LOCTITE CAT 15-1 CLEARJ LOCTITE...
**NMOS区域有两种选择方案,一种是去除Fin上面的oxide后,外延生长Siliccon;另外一种是整体去除Fin,然后外延生长SiC,其目的都是增加载流子的迁移速率,下面分别介绍。 29. Hard Mask Etch & Oxide Strip NMOS 区域进行Hard Mask etch,然后用HF去除Fin上面的oxide。 30. #1 Epitaxial Si Growth Hard Mask Strip 然后...
Cinecolor – 3-STRIP LUTs 产品特点: 强大的饱和度 这些 LUT 从开创性的 3 条 Technicolor 工艺中汲取灵感,展示了与早期电影电影相关的丰富、饱和的色彩和独特的色调品质。 3条工艺 每个 LUT 有效地将您的图像拆分为 3 个通道 (RGB),将它们转换为青色、品红色和黄色,然后重新组合它们 - 模拟模拟 3 条效果...
Strip工艺的基本原理是使用化学或物理方法来去除芯片表面的光阻层或其他材料。化学剥离涉及使用溶剂、酸或碱,而物理剥离可能包括干法如等离子体剥离。这需要精确控制各种参数,如温度、时间和化学剂浓度,以保证剥离效率并避免对基片造成损害。 3. 设备介绍 Strip工艺通常涉及以下设备: ...
可选择Bleach Bypass,Day For Night,Grading Transfer,Three-Strip Color,Two Strip Color和Film Grain等效果,添加戏剧和电影边缘的天赋。超级风格的效果:通过HitFilm Pro的超级风格化的色彩效果引导您的梵高内心。创造梦幻般的序列或忧郁的情绪,如油画,solarize,posterize和卡通效果。 LUTs:无需在工作室中花费数小时即...
Strip工艺的基本原理是使用化学或物理方法来去除芯片表面的光阻层或其他材料。化学剥离涉及使用溶剂、酸或碱,而物理剥离可能包括干法如等离子体剥离。这需要精确控制各种参数,如温度、时间和化学剂浓度,以保证剥离效率并避免对基片造成损害。 3. 设备介绍 Strip工艺通常涉及以下设备: ...
RPP第一代产品算力可达32TOPS,DRAM带宽达59GB/s,具有性能高、面积效率高、功耗低灵活性强的特点,FOStrip先进封装工艺将芯片面积和厚度缩小至原来的1/3。测试中,其计算机视觉和信号处理性能都较同类产品有较大提升,以14nm工艺达到甚至超越了英伟达A100芯片的功耗。
for frequency dependent loss of microstrips or striplines connected to the output of the device, programmable pre-emphasis is included in the output stage. A settable loss of signal detection and output disable are also provided. The part, available in RoHS compliant small footprint 3 mm ...