二、光阻剥离(PR Strip)完成掩膜使命后的光阻需彻底去除,否则残留物会导致:后续工艺污染(如金属沉积时引入缺陷)器件短路或断路(残留光阻阻碍导电层连接)可靠性下降(界面结合力劣化)剥离目标:彻底清除光阻,同时避免损伤硅片表面材料(如金属、氧化物、低k介质等)。
必应词典为您提供prstrip的释义,网络释义: 光刻胶去除;光阻;
1. 工艺概述 Strip工艺是集成电路制造过程中至关重要的一步,主要用于在芯片制造的多个阶段去除表面上的光阻或其他保护层。 2. 工艺原理 Strip工艺的基本原理是使用化学或物理方法来去除芯片表面的光阻层或其他材料。化学剥离涉及使用溶剂、酸或碱,而物理剥离可能包括干法如等离子体剥离。这需要精确控制各种参数,如温度...
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