专利摘要显示，本发明涉及光伏技术领域，公开了一种选择性Poly‑Si钝化接触的TOPCon电池及制备工艺，包括在电池背面沉积的多晶硅Poly‑Si层，所述多晶硅Poly‑Si层包括多晶硅薄层区域和多晶硅厚层区域；所述多晶硅厚层区域位于栅线电极区域，厚度＞100nm；所述多晶硅薄层区域位于非栅线电极区域，厚度＜95nm。本发明通...
poly-Si膜层磷掺杂量的提升,会使得poly-Si层寄生吸收增大,长波段(800~1200nm范围)损失增大。薄poly提升电流密度是提效方向,需要浆料匹配。 poly-Si膜层磷掺杂量的提升,有助于降低金半接触电阻率 poly-Si膜层磷掺杂量,结合隧穿氧化层优化,对Voc、FF影响较大,可以匹配优化出较高效率 实验方案 样品制备: 硅片n...
聚硅层的复合电流密度与接触电阻率在实验中被详细考察，发现其与磷掺杂浓度紧密相关。此外，光学吸收性能也被重点关注，特别是poly-Si层寄生吸收对正面发射及背面投射光的损耗影响。通过比较不同组别的短流密度，研究者们进一步揭示了poly-Si层寄生吸收对光能转换效率的影响。最后，研究基于Optimization of a...
专利摘要显示,本发明涉及一种TOPCon电池的钝化层的制备方法及其钝化层,属于光伏电池制备技术领域。包括:对N型硅片的背面依次沉积隧穿氧化层、第一poly‑si层、分子筛层、第二poly‑si层、第三poly‑si层和mask层,以得到制备好的TOPCon电池的钝化层。通过在多个N型硅片背面增加了分子筛层和第三poly‑si层,相...
本发明公开了一种降低poly‑si层溢H导致爆膜几率的方法,属于多晶硅电池领域,一种降低poly‑si层溢H导致爆膜几率的方法,包括以下步骤:S1:带硅片进入炉管,炉管内部升温,闭管测漏;S2:待温度稳定后,通入氮气进行炉管吹扫;S3:待氮气吹扫完毕后,进行遂穿层的沉积;S4:遂穿层沉积完成后,进行多晶硅层的沉积;S5:...
结果表明 光生空穴俘获造成的a-Si ~中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 普遍抬高a-Si ~薄膜中电场强度。在光照射下 空间电荷效应不会给a-Si poly-Si叠层结构中的a-Si ~薄膜带来准中性区 低场“死层” 因而没有发生a-Si poly-Si叠层太阳能电池的光诱导性能衰退。a-Si poly-Si叠层结构太阳能...
基于pin结构的a-Si:H太阳能电池中的空间电荷效应,讨论了a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的稳定性.结果表明,在光照射下,光生空穴俘获造成了a-Si:H中正空间电荷密度的增加,从而改变了电池内部的电场分布,提高了a-Si:H薄膜中的电场强度.空间电荷效应不会给a-Si/poly-Si叠层结构中的a-Si:H薄膜带来准中性区(低场...
前后有源层的刻蚀时poly.Si_rFT性能的影响. 关键词:金属诱导横向晶化;有源层;刻蚀;Doly-S[TFT 中国分类号:TN305文献标识码:A 引言 以信息高速公路与多媒体通讯为标志的 现代信息社会,使信息显示技术得到了飞速 发展,其中有源矩阵液晶显示器(AML(=D)以 ...
摘要: 在普通玻璃衬底上低温(600度以下)制备poly-Si TFT有源矩阵液晶显示器是当前的研究热点,采用金属诱导横向晶化法低温研制了poly-Si TFT.分析了晶化前后有源层的刻蚀有poly-Si TFT性能的影响.关键词: 金属诱导横向晶化;有源层;刻蚀;poly-Si TFT
In the active matrix addressing organic light--emitting diode(AM-OLED)display panel,we modify electricity functional layer-layout of the poly-Si thin film transistor(TFT)and prolong the source and drain electrode as the anode of OLED,forming the micro ca