TOPCon电池因其高效率和稳定性在全球光伏市场中表现突出。但由于硼扩散、激光损伤和金属-半导体接触，前侧存在显著的复合损失。研究设计了前侧局部多晶硅指状结构，与传统TOPCon和全面积多晶硅钝化电池进行比较。通过模拟，发现抑制前表面场（FSF）和接触区域的复合是提高电池性能的关键策略。美能TLM接触电阻率测试仪，以其...
本发明提供了一种无额外遮光和对位问题的Polyfinger制备方法,本发明方法包括在制备好的多晶硅层上对应Polyfinger的区域涂覆接触材料后刻蚀形成的Polyfinger结构。采用本发明方法制备的Polyfinger区域与接触区域宽度一致,不会存在额外寄生吸收导致的遮光问题,改善了电池的电流,同时Polyfinger与接触图形无需进行对位,即不存在...
1、目前在电池领域,主流制备poly finger结构主要有如下3种方式:1、直接激光法:直接利用大能量激光将非finger区域掺杂多晶硅及隧穿氧化层去除。2、掺杂浆料印刷法:在本征多晶硅上图形化印刷掺杂浆料,并通过热退火辅助掺杂原子推进及激活。3、光刻法:通过整面涂覆光刻胶,在finger区域显影刻蚀后沉积隧穿氧化层及掺杂多晶硅...
本发明属于太阳能晶硅电池领域,尤其涉及一种基于Polyfinger的叠层p型钝化接触结构及其制备方法。本发明在电池正面分别采用掺镓PolySi层与掺硼PolySi层应用于底层钝化与finger金属接触,可在提高PolySi在绒面的钝化效果的同时实现良好的金属接触,同时满足钝化与接触需求。在此基础上,通过在正面表面形成图形化掩膜并反刻处...
1、本发明的目的在于提供一种无额外遮光和对位问题的poly finger制备方法,以解决现有技术中存在的问题。 2、为实现上述目的,本发明提供如下技术方案: 3、在第一方面,本发明提供了一种无额外遮光和对位问题的poly finger结构,本发明所提供的poly finger结构的宽度不大于其上金属化栅线的宽度,从而有效地解决了遮光问题...
1. 一种无额外遮光和对位问题的Poly finger制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤: S1、多晶硅制备:在经过处理的硅片表面制备整面掺杂多晶硅层; S2、接触区形成:在制备好的多晶硅层上对应Poly finger的区域涂覆接触材料,形成接触区; S3、刻蚀:采用刻蚀液去除表面Poly finger区域以外的多晶硅层,留下Poly finger区...
1.一种基于Poly finger的叠层p型钝化接触结构的制备方法,其特征在于,包括如下操作步骤: S01:双面制绒:以N型单晶硅片作为硅基底,经过预清洗后,在硅片表面形成金字塔绒面,金字塔绒面的大小为1~5µm; S02:正面制备隧穿氧化层:550~750℃纯氧条件下,在所述单晶硅片的单面制备1~5nm隧穿氧化层,并将其标记为正面...
本发明提供了一种无额外遮光和对位问题的Polyfinger制备方法,本发明方法包括在制备好的多晶硅层上对应Polyfinger的区域涂覆接触材料后刻蚀形成的Polyfinger结构.采用本发明方法制备的Polyfinger区域与接触区域宽度一致,不会存在额外寄生吸收导致的遮光问题,改善了电池的电流,同时Polyfinger与接触图形无需进行对位,即不存在...
一种基于Poly finger的叠层p型钝化接触结构及其制备方法 喜欢 0 阅读量: 106 申请(专利)号: 202310723906 申请(专利权)人: 扬州大学 扬州大学扬州碳中和技术创新研究中心 发明人:丁建宁,李绿洲,王芹芹,董旭 收藏 引用 批量引用 报错 分享 全部来源 求助全文 cprs.patentstar.com.cn 0...
Poly finger hands and robot 专利名称：Poly finger hands and robot 发明人：松崎 一成,佐々木 巌 申请号：JP2009048154 申请日：20090302 公开号：JP5267213B2 公开日：20130821 专利内容由知识产权出版社提供 摘要：To provide a multifinger hand, a robot and a gripping method of the multifinger hand ...