Poly Finger 指的是通过特定工艺,将Poly层形成类似“指状”或“条带状”的结构,这些指状区域主要用来:优化导电路径:提供更高效的电荷收集和传输通道; 降低光学遮挡:相比传统的电极结构,Poly Finger 的设计可以减少电池表面的遮光面积,提高光吸收效率; 增强钝化效果:Poly 层本身具有钝化特性,能降低表面复合,提高载流子...
31、本发明的有益效果是:本发明的上述制备方法中,poly finger结构的制备过程中,没有现有技术的方法2掺杂浆料印刷法中印刷掺杂网版与金属化网版的对位工艺,因此可减少poly finger结构与正面金属栅线对位的偏位不良问题,提高生产良率;常规路线中,为避免偏位问题,poly finger结构的宽度通常为金属栅线宽度的3～5倍。...
本发明提供了一种无额外遮光和对位问题的Polyfinger制备方法,本发明方法包括在制备好的多晶硅层上对应Polyfinger的区域涂覆接触材料后刻蚀形成的Polyfinger结构。采用本发明方法制备的Polyfinger区域与接触区域宽度一致,不会存在额外寄生吸收导致的遮光问题,改善了电池的电流,同时Polyfinger与接触图形无需进行对位,即不存在...
双面TOPCon太阳能电池的优化方案包括：多晶硅指状结构的设计、双面原子层沉积（ALD）以及 LECO 工艺等。这些方法有助于进一步提高电池的钝化和接触性能，有可能在大尺寸电池上实现接近27%的高效率。通过综合考虑结构设计和工艺优化，可以显著提高TOPCon太阳能电池的性能，并为未来的工业化生产提供了清晰的路线图。局部多晶...
电气特性和前侧多晶硅指状结构(poly finger width)的变化关系 电池效率的峰值集中在多晶硅指状结构宽度为20-45μm的范围内,当表面复合电流密度(J0)低于8 fA/cm²时,效率超过26.5%。 当多晶硅指状结构宽度小于40μm时,FF几乎不受多晶硅钝化的影响。当宽度超过40μm时,FF对钝化值J0和多晶硅指状结构的宽度变得敏...
电气特性和前侧多晶硅指状结构(poly finger width)的变化关系 电池效率的峰值集中在多晶硅指状结构宽度为20-45μm的范围内,当表面复合电流密度(J0)低于8 fA/cm²时,效率超过26.5%。 当多晶硅指状结构宽度小于40μm时,FF几乎不受多晶硅钝化的影响。当宽度超过40μm时,FF对钝化值J0和多晶硅指状结构的宽度变得敏...
电气特性和前侧多晶硅指状结构(poly finger width)的变化关系 电池效率的峰值集中在多晶硅指状结构宽度为20-45μm的范围内,当表面复合电流密度(J0)低于8 fA/cm²时,效率超过26.5%。 当多晶硅指状结构宽度小于40μm时,FF几乎不受多晶硅钝化的影响。当宽度超过40μm时,FF对钝化值J0和多晶硅指状结构的宽度变得敏...
本发明属于太阳能晶硅电池领域,尤其涉及一种基于Polyfinger的叠层p型钝化接触结构及其制备方法。本发明在电池正面分别采用掺镓PolySi层与掺硼PolySi层应用于底层钝化与finger金属接触,可在提高PolySi在绒面的钝化效果的同时实现良好的金属接触,同时满足钝化与接触需求。在此基础上,通过在正面表面形成图形化掩膜并反刻处...
电气特性和前侧多晶硅指状结构(poly finger width)的变化关系 电池效率的峰值集中在多晶硅指状结构宽度为20-45μm的范围内,当表面复合电流密度(J0)低于8 fA/cm²时,效率超过26.5%。 当多晶硅指状结构宽度小于40μm时,FF几乎不受多晶硅钝化的影响。当宽度超过40μm时,FF对钝化值J0和多晶硅指状结构的宽度变得敏...
38、绒面完成后,在硅片正面采用pvd单面制备隧穿层(1~3nm)+掺b非晶硅(100~300nm)沉积,后采用400-500目,10-20μm线径网版在表面印刷接触材料(e-44环氧树脂、三乙烯四胺,银粉,丙酮按一定比例混合)作为掩膜遮挡所要制备poly finger的区域。进行碱抛光工艺使得硅片背面的反射率大于40%,同时去除正面poly finger区...