专利摘要显示，本申请涉及一种半导体POLY工艺用笼舟，属于硅片镀膜的技术领域，其包括舟座，舟座的表面贯穿开设有第一孔洞，第一孔洞开设有多列；舟盖，舟盖的表面贯穿开设有第二孔洞，第二孔洞开设有多列，舟盖用于覆盖舟座；撑杆，撑杆可拆卸连接在舟座内，撑杆用于固定硅片，本申请具有降低镀膜成本的效果。本文...
金融界2024年7月3日消息,天眼查知识产权信息显示,北京凯德石英股份有限公司申请一项名为“一种半导体POLY工艺用笼舟“,公开号CN202410399001.1,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本申请涉及一种半导体POLY工艺用笼舟,属于硅片镀膜的技术领域,其包括舟座,舟座的表面贯穿开设有第一孔洞,第一孔洞开设有多列;舟盖,舟...
掺P会获得n型半导体，其多余的电子相对于掺B的P型半导体具有更高的迁移率，poly一般用作gate栅极，也...
专利摘要显示,本申请涉及一种半导体POLY工艺用笼舟,属于硅片镀膜的技术领域,其包括舟座,舟座的表面贯穿开设有第一孔洞,第一孔洞开设有多列;舟盖,舟盖的表面贯穿开设有第二孔洞,第二孔洞开设有多列,舟盖用于覆盖舟座;撑杆,撑杆可拆卸连接在舟座内,撑杆用于固定硅片,本申请具有降低镀膜成本的效果。
做多晶硅工艺。超净车间半导体中POLY是做多晶硅工艺。 多晶硅(POLY)在半导体器件制造过程中，应用非常广泛，主要用为栅极、互连、填充材料。
dpoly，全称为“double poly”，是一种半导体工艺。在dpoly工艺中，首先在硅片上形成一层厚的绝缘层（通常是二氧化硅），然后通过光刻和蚀刻等步骤，在绝缘层上形成导线的通道。最后，再覆盖一层绝缘层作为保护层。dpoly工艺常用于制造MOS（金属-氧化物-半导体）场效应晶体管。upoly，全称为“under poly...
1、制造工艺区别：UPoly是通过高温下的升华和凝结过程制备的，形成超纳米晶多晶硅结构。DPoly是在多晶硅中掺入少量其他元素（如磷、硼等）制造的半导体材料。2、性能特点区别：UPoly具有晶粒细小、晶界密度高、迁移率高等优点，导致其具有高导电性和稳定性。DPoly具有较好的导电性和稳定性，制造工艺相对...
半导体Ply工艺是半导体制造过程中的一种关键工艺,其目标是在硅片上形成高质量的薄膜层,这些薄膜层在后续的制造步骤中将形成电路的各种组件。Ply工艺通常涉及多个步骤,包括薄膜沉积、退火、光刻、蚀刻等。 在Ply工艺中,薄膜沉积是一个关键步骤,其目的是在硅片上形成一层均匀的、具有特定性质的薄膜。常见的薄膜沉积方法包...
Poly和SiO2的曝光：到了上面这一步，其实已经形成我们想要的垂直结构了，最上面是poly，下面是SiO2，再到下面是衬底。但是现在整片wafer都是这样，其实我们只需要一个特定位置是“水龙头”结构。于是就有了整个工艺流程中最最关键的一步—曝光。我们先在wafer表面铺一层光刻胶，也叫光阻（很难解释光刻胶的概念是...
一种半导体POLY工艺用笼舟专利信息由爱企查专利频道提供,一种半导体POLY工艺用笼舟说明:本申请涉及一种半导体POLY工艺用笼舟,属于硅片镀膜的技术领域,其包括舟座,舟座的表面贯穿开设有第一...专利查询请上爱企查