三、气体携带teos源PECVD法制备二氧化硅膜的步骤 3.1 基底准备 3.2 清洗和预处理 3.3 蒸发器设置和气体混合比例 3.4 PECVD沉积过程 3.4.1 气氛条件 3.4.2 温度和压力 3.4.3 沉积速率和时间 3.4.4 其他参数控制 四、影响二氧化硅膜性质的因素 4.1 沉积温度 4.2 沉积速率 4.3 TEOS流量 4.4 RF功率 4.5 基底材料...
什么是TEOS？如上图是，TEOS，分子式为Si(OC₂H₅)₄，即四乙氧基硅烷。它是一种有机硅化合物，通常作为硅源，在低压LPCVD或PECVD中生成二氧化硅。PECVD TEOS工艺的反应方程式？Si(OC₂H₅)₄ + 0₂==》Si02+挥发性副产物 该反应在400℃左右进行反应，适合低温沉积。为什么要用TEOS来沉积薄膜？1...
气体携带TEOS源PECVD法是一种制备二氧化硅膜的方法,该方法具有制备速度快、成本低、膜质量好等优点,因此在微电子、光电子、生物医学等领域得到了广泛应用。 该方法的基本原理是,将TEOS(四乙氧基硅烷)作为前驱体,通过气体携带的方式将其引入反应室中,然后通过PECVD(等离子体增强化学气相沉积)技术,在基片表面沉积出二氧...
以正硅酸乙酯(TEOS)为源,通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备所得的二氧化硅膜较传统工艺,提供了更好的台阶覆盖,同时也更为安全.在集成电路晶圆制造产线中,通常使用载气携带TEOS源进入反应腔室,虽然载气可通过气体流量计来控制,但实际进入反应腔室的TEOS量难以精确控制并且不易测量,因此二氧化硅膜的沉积速率不...
一种PECVD法制备SiO 2 薄膜的方法,包括下述工艺步骤: 1镀前处理:对基体进行镀前清洁处理; 2装样:将基体用夹具固定好,挂在真空室的外电极上; 3真空排气:用将真空室抽至5.0Pa; 4加热TEOS:将TEOS放入缠有加热带的气罐加热20min得TEOS蒸汽; 5通入Ar和TEOS混合气体:当有TEOS蒸汽产生且真空室的真空度达到预定的...
VNAND拉伸厚TEOS氧化物 二氧化硅和硅酸() PECVD法低温制备二氧化硅薄膜 过氧化氢(H2O2)中毒 比较2种溅射方法镀制的氧化硅薄膜.pdf PECVD氮化硅膜的性质与生长条件的关系 三价铬丙二酸配合物[cr(c3h2o4)(h2o)4][cr(c3h2o4)2(h2o)2]·4h2o的合成、晶体结构及性质研究 一维链状钴配位聚合物{[CO(C4H4O5)(...
本发明提出了一种取用TEOS的PECVD制备纳米涂层的方法,以纺织材料为基材,以经过加热汽化后的TEOS气体为工作气体,同时通入氧气,产生等离子体在基材表面沉积覆膜,本发明的有益效果在于:不仅具用抗紫外线的功能,可以有效的保护皮肤,而且纳米涂层的透气性和亲水性都很好,这种纺织材料穿在身上,既透气又吸汗,穿者会感到...
目前在光热发电领域,太阳能集热器选用的材质是硼硅玻璃,它的透光率现在基本上已经达到极限,而将二氧化硅制备成涂层薄膜涂覆在其内外表面能够增加透光率减少反射光的损失.二氧化硅的广泛应用使得它制备量更加巨大,制备方法不仅仅局限在以往的各种物理沉积方式如溅射,真空蒸发,还有溶胶凝胶法和氧化法,更加广泛的方式是化学...
用氟掺杂来减小二氧化硅的折光率,是光学工 业早就应用于生产的工艺口].如果从介电常数的角 度来考虑.二氧化硅折光率的减小,就意味着其光频 介电常数的降低(E=n).因此.在二氧化硅薄膜 中掺入氟能够有效地降低薄膜的介电常数.掺氟氧 化硅薄膜具有很多优点.其中最重要的是它的制备 收稿日期:1999—12—08;1蕾...