中,SiN薄膜都是采用Sill.一NH,混合气体进行 PECVD生长.在半导体器件或集成电路中大 多是用于钝化保护,但是SiN在应用中仍有许 多问题,诸如(I)结构疏松,介电击穿强度低; (2)在MOSFET中由SiN作栅覆盖层,由于栅 氧化物中的热电子俘获导致器件的阁值电压漂 ...
性别: GG 专业: 集成电路制造与封装 [交流]InP上PECVD法生长SiN应力问题已有1人参与 化合物半导体工艺...