PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition等离子增强化学气相沉积)工艺广泛用于薄膜制备。放电产生的组分能够激活气体分子,进而能够和固体表面发生沉积反应形成薄膜。PECVD工艺的优点包括提高反应速率、降低反应温度、增强薄膜的附着力和致密性。可以用于薄膜晶体管的制造、太阳能电池的
pecvd氮化硅薄膜的制备工艺及仿真分析-preparation process and simulation analysis of pecvd silicon nitride film.docx,摘要摘要功率半导体器件芯片制造过程中实际上就是在衬底上多次反复进行的薄膜形成、光刻与掺杂等加工过程,其首要的任务是解决薄膜制备问题。随着功
PECVD工艺数值计算—氮化硅薄膜沉积仿真,这个过程主要是利用PEGASUS软件来模拟的。在低压环境下,等离子发生器装在镀膜板中间,通过硅烷SiH4和氨NH3的化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态的氮化硅薄膜。仿真过程包括腔体内的放电、中性气体仿真,以及后续的薄膜生长过程仿真,可以精确控制薄膜的厚度和折射指数呢。
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