以下是这两种工艺的主要区别: 1. 工作原理 LPCVD:通过降低反应气体在反应器内进行沉积反应时的操作压力(通常低于133Pa)来实现薄膜沉积。这种低压环境有助于控制薄膜的组成和结构,提高沉积速率和输出量。 PECVD:则利用低温等离子体在低气压下诱导工艺室阴极产生辉光放电,激活气体分子形成活性离子,进而加速化学反应,实现...
PECVD——将等离子能量和CVD完美结合的工艺。PECVD技术利用低温等离子体在低气压下诱导工艺室(即样品盘)阴极产生辉光放电。这种辉光放电或其他发热装置可将样品的温度升高到预定水平,然后引入受控量的工艺气体。这种气体会发生一系列化学和等离子反应,最终在样品表面形成一层固体薄膜。 LPCVD——低压化学气相沉积法(Low-pre...
PECVD先用PECVD方式长1-1.5nm的遂穿氧化层,再长掺杂非晶硅层,厚度约为100-150nm之间。 PVD方式和PECVD差不多。LPCVD做的最好的是拉普拉斯,PECVD做的比较好的是捷佳伟创和红太阳两家,北方华创和金辰其次,红太阳的设备在通威,晶澳,中来都...
N-TOPCon电池环节盈利的关键,还是在LPCVD和PECVD的区别,非硅成本的差异在3-6分之间,最后这就是决定性的了,这可能是在整个光伏主材环节最大的预期差,这也导致了光伏市场非常的混乱。从技术的角度讲,BC类也是需要做隧穿氧化层的步骤,BC也有TOPCon良率和生产不稳定的问题。$晶科能源(SH688223)$$隆基绿能(SH601012)...
APCVD、LPCVD和PECVD在制造薄膜方面有一些区别。1. APCVD,也就是自支撑衬底反应性气体化学气相沉积(Amorphous Poly-crystalline Silicon for Thin Film Deposition),其主要特点是利用高纯度反应性气体系通过物理蒸发或激光等离子体等方法使外延单晶层生长得以实现。这种技术可以用于制备大面积的薄膜,并且具有较高的成膜速率...