PECVD法制备硅太阳电池SiN薄膜工艺研究进展 3 冯炜光 1, 2 ,刘翔 1 ,储清梅 2,1 ,张鹏翔 1 (1. 昆明理工大学光电子新材料研究所,云南 昆明 650031 2.昆明理工大学真空冶金及材料研究所,云南 昆明650093) 摘要:由于SiN薄膜具有Si O2、TiO2等薄膜无法相比的优点,越来越广泛地用做硅太阳电池减反射薄膜, ...