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PD85035-E RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamily N-channelenhancement-modelateralMOSFETs Features ■Excellentthermalstability ■Commonsourceconfiguration ■P OUT =35Wwith14.9dBgain@870MHz/ 13.6V ■Plasticpackage ■ESDprotection ■Incompliancewiththe2002/95/EC1European directive Description ThePD85035-Eisacommo...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 PD85035-E、 ST(意法) 商品图片 商品参数 品牌: ST(意法) 批号: 23+ 数量: 5000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 3V 最大电源电压: 7.5V 长度:...
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商标 STMicroelectronics 通道模式 Enhancement 湿度敏感性 Yes Pd-功率耗散 95 W 产品类型 RF MOSFET Transistors 工厂包装数量 400 子类别 MOSFETs Vgs - 栅极-源极电压 - 500 mV, 15 V 商品其它信息 优势价格,PD85035-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。推荐...
PD85035STR-E由ST(意法半导体)设计生产,立创商城现货销售。PD85035STR-E价格参考¥73.33。ST(意法半导体) PD85035STR-E参数名称:漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):8A;阈值电压(Vgs(th)):3.4V。下载PD85035STR-E中文资料、引脚图、Datasheet数据手册,有场效应管(
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