GoodDatasheet提供了PD54008-E规格参数信息和PD54008-E的供应商信息(地址、联系电话、联系人)可免费索样,这里还提供了PD54008-E及相关型号的PDF资料、生产厂商、功能描述、图片等信息,这里还有PD54008-E相关型号信息。
储存到myST RF功率LDMOS晶体管 Order Direct 产品概述 描述 The device is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 7 V in common source mode at frequencies ...
制造商编号PD54008-E 制造商ST(意法半导体) 唯样编号D-PD54008-E 供货海外代购D代购 无铅情况/RoHs不符合RoHs 描述 RF Mosfet 7.5 V 150 mA 500MHz 11.5dB 8W 10-PowerSO 数据手册发送到邮箱 PDF资料下载 PD54008-E.pdf 参数信息常见问题 参数有误?
型号 PD54008-E PDF资料 电子管-场效应管-PD54008-E-ST/意法-SO-10-22+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上...
制造商编号 PD54008-E 制造商 ST(意法半导体) 唯样编号 C-PD54008-E 供货 海外代购M 代购 无铅情况/RoHs 不符合RoHs 描述 RF Mosfet 7.5 V 150 mA 500MHz 11.5dB 8W 10-PowerSO分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 PD54008-E.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空...
型号: PD54008-E 品牌: STMicroelectronics 封装: 10-PowerSO 批次: - 数据手册: 描述: FET RF 25V 500MHZ PWRSO10 购买数量: 库存:请查询 产品信息 参数信息 用户指南 MfrSTMicroelectronics Gain11.5dB Series- PackageTube Frequency500MHz TechnologyLDMOS ...
Part No. MFG D/C QTY Packing Package Note PD54008TR-E ST 18+ 0 PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线) 晶体管FETMOSFET 射频 TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF Part No. MFG D/C QTY Packaging Package Note Username Password Tel Mail Contact person...
PD54008-E PD54008S-E RF功率晶体管, LDMOST塑料系列 N沟道增强模式,横向MOSFET的 一般特点 ■ ■ ■ ■ 优良的热稳定性 常见源配置 P OUT = 8W与11.5分贝增益@为500MHz / 7.5 新的RF塑料包装 PowerSO-10RF (形成铅) 描述 的PD54008是一个公共源的N沟道, 增强模式横向场效应RF功率 晶体管。它是专...
制造商产品型号:PD54008TR-E 制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics) 描述:TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态:有源 晶体管类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:11.5dB 电压-测试:7.5V 额定电流(安培):5A 噪声系数:- 电流-测试:150mA 功率-输出:8W 电压-额定:25...
PD84008-E DatasheetIC型号: PD84008-E PDF描述: RF Mosfet LDMOS 7.5V 250mA 870MHz 16.2dB 2W PowerSO-10RF (Fo... 文件大小: 274.00KB PDF页数: 16页 阅览下载 纠错 0 扫码查看芯片数据手册 上传产品规格书 PD84008-E 产品属性 其它有关文件 PD84008-E View All Specifications 标准包装 50 ...