85 mA/cm2 , and the light response is 128 mA/W.%采用旋涂工艺与蒸镀工艺结合的方法制备了PBDT-TT-F:PCBM体异质结红光探测器,研究了活性层的混合比例和厚度,退火温度等因素对器件光电特性的影响.实验结果表明:活性层PBDT-TT-F:PCBM的混合质量比为1:1.5,厚度为150 nm,退火温度为100℃,时间为15 min时...
有机光电探测器红光活性层光电特性采用旋涂工艺与蒸镀工艺结合的方法制备了PBDT-TT-F:PCBM体异质结红光探测器,研究了活性层的混合比例和厚度,退火温度等因素对器件光电特性的影响.实验结果表明:活性层PBDT-TT-F:PCBM的混合质量比为1:1.5,厚度为150 nm,退火温度为100℃,时间为15 min时制备的器件性能最佳,在波长为...
采用旋涂工艺与蒸镀工艺结合的方法制备了PBDT-TT-F:PCBM体异质结红光探测器,研究了活性层的混合比例和厚度,退火温度等因素对器件光电特性的影响.实验结果表明:活性层PBDT-TT-F:PCBM的混合质量比为1:1.5,厚度为150 nm,退火温度为100℃,时间为15 min时制备的器件性能最佳,在波长为650nm,功率为6.6 m W/cm^2的...