/N2O/SiH4 流量比 vs SiOx 折射率 vs 沉积速率/ 注:数据仅供参考 典型成膜条件: - PECVD, 40KHz 管式设备 - 温度:460,压力:170~240 Pa,功率:2~20 KW - 流量SiH4/N2O: - 1666/833 sccm 2/1 - 1250/1250 sccm 1/1 - 625/1875 sccm 1/3 - 460/2000 sccm 1/4.3 - 227/2272 sccm 1/10 -...
晶硅膜沉积非晶pecvdsihsihci 用PECVD法从SiH2Cl2—SiH4—H2快速沉积非晶和微晶硅膜I998年第9期等离子体应用技术快报330m/s的径向速度.强烈地减少了徽滴的发射.连续脉冲弧的平均沉积速率由单脉冲的状态及其重复率决定.已成功地试验了达300Elz的脉冲频率.相当于达到300nm/s沉积速率.因此,用强流弧和相关的激光弧方...
Optimized conditions p 一个原地被掺杂的polysilicon过程使用膦 () 符合 (ULSI) 制造业技术的要求的PH3和硅酮SiH4被描述。 运用实验性设计,过程优选均一和装载大小为一台充分地自动化的150毫米垂直的LPCVD反应器被开发了。 优化情况制作有厚度和抵抗力变异<1.2%和<2.0%,分别,为75个薄酥饼装载大小的电影。 另外,...
管P N2O/SiH4流量比对应SiOx薄膜折射率&沉积速率关系微信用户ut7u61 >《待分类》2023.02.01 安徽 关注 Aaron PV 笔记 读完需要1分钟 速读仅需 1 分钟 / N2O/SiH4 流量比 vs SiOx 折射率 vs 沉积速率 / 注:数据仅供参考 典型成膜条件: - PECVD, 40KHz 管式设备 - 温度:460,压力:170~240 Pa,功率:...