6.1 p-n结及其能带图(雨课堂课件)第六章p-n结p-njunction 最早实用化的半导体二极管是基于肖特基结的点接触晶体二极管。肖特基结，也就是金属-半导体接触形成的单向导电结，是于1938年由肖特基和莫特分别独立发明。1939年，贝尔实验室的奥尔发现了掺杂不均匀的半导体材料会出现单向导电性，并由此发现了pn结。1949年...
p-n结及其能带图p-n结伏安特性p-n结电容p-n结击穿p-n结隧道效应 1 同一种半导体材料n、p型样品接触 p-n结 理想p-n结的J-V曲线 电流电压特性电容效应击穿特性 意义 晶体管、集成电路的心脏 2 p-n结定义：p型半导体和n型半导体结合的交界面。突变结：p、n区杂质均匀分布，两侧杂质类型及浓度突然变化（...
平衡P－N结的能带图 ➢ 平衡P－N结的能带图：EE，电子由N区流向P区，空穴 FN FP 由P区流向N区，导致EFN不断下移，EFP不断上移，直至 EFN EFP，达到平衡态，这时P－N结中有统一的费米能级EF,平衡P－N结中费米能级处处相等标志了每种载流子的扩散电流和漂移电流互相抵消，P－N结中无净电流。P N 结...
;电 场;多子扩散和少子漂移达到动态平衡;形成扩散电流并增加空间电荷区的宽度;内建电场: 空间电荷区中的正、负电荷间产生的电场,其方向由n区指向p区。平衡p-n结: 载流子在内建电场的作用下,漂移运动和扩散运动相抵时,所达到 的动态平衡(p-n结的净电流为零)。 ;2.p-n结能带图;n区费米能级高;3.p-n结...
画出外加正向、反向偏压时p-n结能带图,标出内建电场方向Ein、势垒高度。相关知识点: 试题来源: 解析 答: 在外加电压下,p-n结的能带图(正向偏压VF) 外加电压的电势差与p-n结的接触电势差方向相反,势垒高度由qVD降低为q(VD-VF),势垒宽度减小。 在外加电压下,p-n结的能带图(反向偏压VR)...
激光锁模技术包括 主动锁模、被动锁模 和自锁模三类。三(10分)绘出如下单异质P-N结的能带图。(a)图是接触前的P,N型半导体的能带图。在(b)图中绘出解除后的平衡态能
Ec,Ev,EFn,P,N,V,V,EFp,施加正偏置电压后非平衡态异质pn结能带图。,施加正偏置电压后非平衡态异质pn结能带图。,Ec,Ev,EFn,P,N,V,V,
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同质P-N结的能带结构图的得出方法如下：因为在p-n结界面附近处存在着内建电场，而该内建电场的方向正好是阻挡着空穴进一步从p型半导体扩散到n型半导体去，同时也阻挡着电子从n型半导体进一步扩散到p型半导体去。于是从能量上来看，由于空间电荷-内建电场的出现，就使得电子在p型半导体一边的能量提高了...