1、P-N 结的形成原理。相关知识点: 试题来源: 解析 答:⑴P型和N型半导体都呈电中性;⑵ P型半导体的多子是空穴;N型半导体的多子是电子;⑶当P型半导体与N型半导体连接在一起时,由于PN结中不同区域的载流子分布存在浓度梯度,P型半导体材料中过剩的空穴通过扩散作用流动至N型半导体材料;同理,N型半导体材料中过剩...
在P区与N区界面两侧产生不能移动的离子区(也称耗尽区、空间电荷区、阻挡层),于是出现空间电偶层,形成内电场(称内建电场)此电场对两区多子的扩散有抵制作用,而对少子的漂移有帮助作用,直到扩散流等于漂移流时达到平衡,在界面两侧建立起稳定的内建电场。 P-N结的定义 2008年04月14日星期一 10:24 采用不同的...
在外电路上形成一个流入P区的电流,称为正向电流。当外加电压稍有变化(如O.1V),便能引起电流的显著变化,因此电流是随外加电压急速上升的。这时,正向的PN结表现为一个很小的电阻。 三、PN结的反向导电性 当PN结外加反向电压,即电源的正极接N区,负极接P区。外加电场方向与PN结内电场方向相同,PN结处于反向偏置...
在结形成初期，N区的电子作为多数载流子，而P区的电子则是少数载流子，电子会从N区向P区流动。然而，当电子与空穴相遇并复合后，N区附近的电子数量骤减，剩余的未中和离子ND+形成正空间电荷。反之，空穴从P区扩散至N区，形成由NA-受主离子组成的负空间电荷区域。这种扩散与漂移的动态平衡导致P区与N区...
下列关于PN结的形成,说法正确的是:()A.PN结是由于P型半导体和N型半导体结合在一起时,在其交界面处所形成的。B.多子的扩散运动和少子的漂移运动,达到动态平衡,形成了PN结。C.动态平衡后,空间电荷区中,包含有静止的自由电子-空穴对,以及静止的正、负杂质离子。D.空间电荷区中存在内电场,也称为势垒区。 相关知识...
. PN结的形成当P型半导体和N型半导体结合在一起的时侯,交界面处 --PN结。于交界面处存在载流子浓度的差异t载流子扩散t产生空间电荷区和内电 场,P区一侧呈现负
p-n结的形成与固体掺杂是分不开的,其基本形成原理是在一块单晶半导体两侧,一侧掺有受主杂质形成P型半导体,另一侧掺有施主杂质形成N型半导体,P型半导体和 N型半导体的交界面附近的过渡区称为P-N结。 1.p—n结的形成 1.1p型半导体和n型半导体 以硅为列子,硅之所以是半导体,和它的最外层有4个电子有很大关系...
而且这个p - n结可是超级重要的哦,在好多好多电子设备里都起着关键的作用,就像一个隐藏在幕后的小英雄一样。 再往深一点想呀,这p - n结的形成就像是大自然的一种巧妙安排呢。就好像是微观世界里的小零件,一个个组合起来,最后就能做出超级厉害的大机器。这些小电子和空穴的行为虽然我们肉眼看不到,但是它们的...
三氯氧磷(POCl3)分解并与氧气(O2)反应形成氯气(Cl2)和五氧化二磷(P2O5)。氯气(Cl2)很容易与大多数金属反应,这样就能清除硅片表面的金属杂质。否则,就会对p-n结产生不良影响。 同时,五氧化二磷(P2O5)扩散进硅中,形成了掺杂源——磷硅玻璃(PSG),磷硅玻璃中的磷原子再扩散进硅片。这步叫做“驱动”(drivein)...
P-N结是怎样形成的? 采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上,在它们的交界面附近的过渡区称为P-N结。P-N结具有独特的导电性,它是大多数半导体器件的核心,是集成电路的主要组成部分,也是太阳能光伏电池的主要结构单元。 P-N结是怎样形成的呢? 开始时,有人把P型材料和N型材料...