P-N结型半导体探测器,是常见的半导体探测器产品之一,可以用于激光测距、光纤通信等领域。 P型半导体,在硅或锗中掺杂硼或铟制成,可以产生空穴;N型半导体,在硅或锗中掺杂磷或锑制成,可以形成自由电子;PN结,将P型半导体与N型半导体通过扩散作用相结合制成,交接面可以形成空间电荷区,具有单向导电性。 P-N结型半导...
p层是半导体探测器中的另一个区域,其中的半导体材料被掺杂成了p型半导体.在p型半导体中,空穴是多数载流子.p层通常与n层相邻,形成一个p-n结.当电子从n层扩散到p层时,它们与空穴复合,释放出能量.这种能量释放可以用于检测粒子事件. p层还可以用于收...
基于二维材料的p-n异质结在下一代电子和光电器件中具有较好的应用前景。通过选择不同的二维过渡金属硫化物,p-n结具有可调的能带匹配,在多种应用上都表现出优异的性能。反向偏压下的p-n结二极管由于暗电流受抑制而具有高探测灵敏度,但因为量子效率小而导致响应度低。增强p-n结耗尽层的内建电场能减少载流子复合,进...
百度爱采购为您找到7家最新的p-n结半导体探测器产品的详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息,您还可以免费查询、发布询价信息等。
一种三台面p-π-n结构III族氮化物半导体雪崩光电探测器,其中,包括衬底,利用外延生长法,如分子束外延或金属有机化学气相沉积外延法,依次生长在衬底上的缓冲层,n型掺杂氮化物欧姆电极接触层,π型氮化物有源层,p型掺杂氮化物层,重掺杂p型氮化物欧姆接触层,制作在n型层上的n型欧姆接触电极,制作于p型层上的p型...
东北师范大学教育部紫外光发射材料重点实验室宽带隙半导体材料与器件李炳生教授课题组利用反向掺杂的方法,实现了p-Ga2O3/n-GaN 异质结宽谱超高探测率紫外光电探测器,以Ultrahigh Detectivity Broad Spectrum UV Photodetector with Rapid Respon...
基于n-ZnO/n-Ga2O3/p-GaN异质结与pn结耦合增强型自驱动紫外探测器研究陈兴驰,陈剑,樊启贤,毛佳兴,张忠辉,许雅俊,卢寅梅,何云斌*湖北大学 展开更多0 条评论guansheng发消息 分享知识,共同成长。把复杂的事情掰扯明白! 关注1万相关推荐05:18 日本京都大学教授Naoki SHINOHARA:太阳能卫星及相关波束无线电力传输技术...