P-N结型半导体探测器,是常见的半导体探测器产品之一,可以用于激光测距、光纤通信等领域。 P型半导体,在硅或锗中掺杂硼或铟制成,可以产生空穴;N型半导体,在硅或锗中掺杂磷或锑制成,可以形成自由电子;PN结,将P型半导体与N型半导体通过扩散作用相结合制成,交接面可以形成空间电荷区,具有单向导电性。 P-N结型半导...
基于前期的工作积累，研究人员从GaN基半导体p-n异质结能带结构设计，MBE外延工艺探索及纳米线形貌调控出发，结合DFT第一性原理理论计算优化及半导体表面金属铂（Pt）纳米颗粒定向修饰，成功构建了基于p-AlGaN/n-GaN异质p-n结的光谱可分辨型光电探测器[Nature Electronics 2021, 4, 645–652]。图1为器件的工作原理示...
基于前期的工作积累,研究人员从GaN基半导体p-n异质结能带结构设计,MBE外延工艺探索及纳米线形貌调控出发,结合DFT第一性原理理论计算优化及半导体表面金属铂(Pt)纳米颗粒定向修饰,成功构建了基于p-AlGaN/n-GaN异质p-n结的光谱可分辨型光电探测...
p层是半导体探测器中的另一个区域,其中的半导体材料被掺杂成了p型半导体.在p型半导体中,空穴是多数载流子.p层通常与n层相邻,形成一个p-n结.当电子从n层扩散到p层时,它们与空穴复合,释放出能量.这种能量释放可以用于检测粒子事件. p层还可以用于收...
近日,南京大学陆海和张荣教授团队在前期研究基础上,创新设计出一种表面梯度掺杂诱导δn-i-p超浅结SiC二极管,并通过开发选区刻蚀、高温氧化修复与低温金属化工艺,成功实现了国际首支宽禁带半导体pn结型EUV探测器(图2(a))。数值仿真及实验结果证明浓度梯度掺杂形成的δn-i-p结构可以在探测器表面诱导产生与器件内部pn结...
基于二维材料的p-n异质结光电探测器具有良好的应用前景。它不仅具有传统二极管光电探测器的优点:低暗电流导致的高光开关比和探测度,而且由于其二维尺度与现有的半导体加工技术相契合,是设计新型器件的理想平台。但是由于p-n结光电探测器缺乏高效...
本工作中,作者选择MAPbBr3构建p-n结光电探测器,主要基于以下原因:(i) 它是一种p型半导体,可以通过简单的阴离子交换过程调谐成n型半导体;(ii)它具有优异的光电特性,例如长载流子扩散长度和高载流子迁移率,为构建高灵敏度光电探测器提供了理想的平台。
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氧化锌(ZnO)作为一种直接带隙的宽禁带半导体材料,因其较大的激子束缚能、良好的化学和热稳定性、无毒性以及易于制备等特性,被认为是最有前景的用于同质结紫外光电探测器的半导体材料之一。尽管如此,基于ZnO的同质结探测器在实际应用中仍面临一些挑战。例如,制备p型ZnO材料的难度较大,而柔性ZnO基同质结紫外光电探测...
记者从中国科学技术大学获悉,该校微电子学院龙世兵教授、孙海定研究员团队在氮化镓(GaN)半导体p-n异质结中实现了独特的光电流极性反转,即双向光电流现象。相关成果9月23日发表在《自然•电子学》上。 (中国科大供图) 半导体p-n结是众多电子元器件的基本构成单元,基于此所构建的传统固态光电探测器可将光信号捕获并...