p-i-n结光电二极管实际上也就是人为地把p-n结的势垒区宽度加以扩展，即采用较宽的本征半导体（i）层来取代势垒区，而成为了p-i-n结（见图示）。p-i-n结光电二极管的有效作用区主要就是存在有电场的i型层（势垒区），则产生光生载流子的有效区域增大了，扩散的影响减弱了，并且结电容也大大减小...
百度试题 题目为了使雪崩光电二极管正常工作,在其P-N结上应加( ) A. 高正向偏压 B. 低正向偏压 C. 低反向偏压 D. 高反向偏压 相关知识点: 试题来源: 解析 D.高反向偏压 反馈 收藏
百度试题 结果1 题目PSD的英文全称为___,中文全称为___,是一种具有特殊结构的大光敏面的光电二极管,又称为P-N结光电传感器。相关知识点: 试题来源: 解析 PositionSensitiveDetecior 英置敏感探测器 反馈 收藏
【答案】：P-InP的禁带宽度为1.35eV，对波长大于0.92μm的光不吸收．因此．在光通信用的1.5～1.65μm波段不产生吸收损耗．I-InGaAs的禁带宽度为0.75eV(对应截止时波长1.65μm)，在1.3～1.6μm波段上表现出较强的吸收．几微米厚的I层，就可以获得很高的响应度．这样，对于光通信的低损耗...
为了使雪崩光电二极管正常工作,应在其P-N结上加()。 A高反向偏压 B低正向偏压 C高正向偏压 D低反向偏压 正确答案 答案解析 略
对于p-i-n结构4H-SiC紫外光电二极管,由于其较小的结电容和较大的并联电阻,使得器件在低电压工作时具有较低的噪声、较快的响应速度和较高的光电响应度,并且可在很强的可见及红外光背景下实现对紫外光的探测。近年来,已有一些关于4H-SiC紫外光电二极管的报道,包括肖特基、金属-半导体-金属(MSM)、p-i-n以及雪崩...
SiC光电探测器的暗电流也比传统硅基探测器要低几个数量级.因此,4H-SiC材料被认为是制备紫外光电探测器的首选材料,所制备的紫外光电探测器可在极端条件下应用于生化检测,可燃性气体尾焰探测,臭氧层监测,短 波通讯以及导弹羽烟的紫外辐射探测等领域.对于p-i-n结构4H-SiC紫外光电二极管,由于其较小的结电容和较大...
为了使雪崩光电二极管正常工作,应在其P-N结上加()。A.高反向偏压B.低正向偏压C.高正向偏压D.低反向偏压的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,是学
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题目 半导体P-N结上外加负偏压产生的电场方向与方向一致,这有利于耗 尽层的加宽。 1.24R(A/W)化更0.57 (m)1.3 6. Po eoh eohe (m) 1.24 Si光电二极管: ___ 1.24 0.48A/W Ge光电二极管:R ___ 0.52 A/W 1.24 相关知识点: 试题来源: 解析 0.7 0.85 0.4 1.6 反馈 收藏 ...