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基于异质结的光电器件,将光信息(太阳能)转换为电信息(电能),主要用于光信号探测、太阳能电池、光纤通信和图像传感器。由两种不同块材半导体材料构成的基本p-n异质结光电二极管能够探测光或收集能量,但量子效率低且频率响应差。为了解决这些缺...
二维材料!MoS2/黑磷异质结光电二极管!Nature Communications 尖端的中波红外(MWIR)传感技术利用红外光电探测器、存储单元和计算单元来提升机器视觉能力。随着智能像素数量的增加,实时处理和决策制定的挑战也随之出现。然而,目前的操作仅限于近红外技术的传...
光电研究院周鹏/汪洋团队联合中国科学院上海技术物理研究所胡伟达研究员,展示了一种非易失性MoS2/黑磷(BP)异质结中波红外光电探测器,利用二维材料的异质集成特性,采用半浮动栅结构设计,有效结合了超快闪存和红外光电探测的特点,集成了近红外-中红外光电探测、存储和计算(PMC)功能。这种集成有助于制造专为MAC操作而设计...
异质结光电二极管的工作原理 异质结光电二极管是一种具有异质结的半导体器件,可以将光能转化为电能。其工作原理如下: 1.异质结的形成:异质结是由两种不同的半导体材料相接而成,其中一种材料的能带宽度较大,称为能带宽度大的材料(如n型材料),另一种材料的能带宽度较小,称为能带宽度小的材料(如p型材料)。形成...
图2MoS₂/Si异质结光电二极管光电特性 基于该高性能光电二极管,研究人员构建了一种新型短波红外计算成像系统。该系统采用单像素成像技术,结合哈达玛谱算法,实现了128×128像素的高分辨率短波红外成像。在25%的低采样率下,仍能获得高质量的图像和边缘提取结果。该系统展现出优异的抗散射成像能力。即使在强散射环境下,...
图3、压电光电子学效应对p-n异型和n-n同型异质结光电二极管器件瞬态特性的影响 (a)和(b)、不同应变作用下p-n异型和n-n同型异质结光电二极管的光场I-t特性曲线 (c)和(d)、不同光强条件下p-n异型和n-n同型异质结光电二极管的光场电流随应变的变化曲线 ...
图1、p-n异型和n-n同型异质结光电二极管器件结构和基本特性表征 (a)和(b)、p-n异型和n-n同型异质结光电二极管的器件结构和SEM照片 (c)、p-n异型和n-n同型异质结光电二极管的I-V特性曲线 (d)和(e)、p-n异型和n-n同型异质结光电二极管的能带结构 ...
a)FL-MoTe2/Si 2D-3D异质结光电二极管的制造过程示意图 b)FL-MoTe2/Si异质结光电探测器的结构示意图 c)装配在PCB板上用于器件测量的基于FL-MoTe2/Si异质结的光电二极管探测器的照片 d)FL-MoTe2的XPS光谱 e)在532 nm激光激发下,MoTe2体材料和沉积的FL-MoTe2膜的拉曼光谱 ...
图2、应变对p-n异型和n-n同型异质结光电二极管I-V特性的影响 (a)和(b)、不同应变作用下p-n异型和n-n同型异质结光电二极管的暗场I-V特性曲线 (c)和(d)、不同应变作用下p-n异型和n-n同型异质结光电二极管的光场I-V特性曲线 图3、压电光电子学效应对p-n异型和n-n同型异质结光电二极管器件瞬态特性...