1、同质结就是同一种半导体形成的结,包括pn结、pp结、nn结。 2、异质结是一种特殊的PN结,由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成,这些材料具有不同的能带隙,它们可以是砷化镓之类的化合物,也可以是硅-锗之类的半导体合金。 半导体异质结构的二极管特性非常接近理想二极管。另外,通过调节半导体各材...
《p-NiO/n-MgZnO异质结器件的电致阻变效应及相关机理研究》是依托华南师范大学，由陈心满担任项目负责人的青年科学基金项目。项目摘要 具有电致阻变特性的多功能氧化物材料在未来阻变式存储器上具有巨大应用潜力，是目前的热点研究领域，而提高电致阻变特性的稳定性和抗疲劳性能是其实际应用需要解决的技术关键...
【答案】：P-InP的禁带宽度为1.35eV，对波长大于0.92μm的光不吸收．因此．在光通信用的1.5～1.65μm波段不产生吸收损耗．I-InGaAs的禁带宽度为0.75eV(对应截止时波长1.65μm)，在1.3～1.6μm波段上表现出较强的吸收．几微米厚的I层，就可以获得很高的响应度．这样，对于光通信的低损耗...
《原位生长n-Fe2O3/p-CaFe2O4光催化N/P异质结及光催化降解VOCs动力学研究》是依托东北大学，由曹凤担任项目负责人的青年科学基金项目。中文摘要 半导体光催化纳米材料应用于降解去除低浓度VOCs（如甲醛，丙酮和苯类等挥发性有机物）气体污染物受到了广泛关注。针对可见光光催化...
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《聚合物太阳能电池p-n异质结界面的三维微结构压印成形》是依托西安交通大学，由刘红忠担任项目负责人的青年科学基金项目。中文摘要 本项目在常规的材料物理研究范畴之外，提出提高聚合物太阳能电池转换效率的一种崭新思路：通过热压印这种廉价和高效的微纳结构复制工艺，在p型聚合物半导体上生成深亚微米的结构，使...