异质结是一种半导体材料，它由两种不同的材料层组成，这两种材料的性质和电子结构不同。在这两种材料的交界处，会形成电势垒，这个电势垒会产生电场，从而使异质结的导电性质与均匀的半导体材料不同。异质结因其特殊的电性质和能带结构而被广泛应用于半导体器件中，如太阳能电池、激光二极管、场效应晶体管...
半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成,它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物,也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种,两种异质结的能带结构如图1所示。 如图1(a)所示,I型异质结的能带结构是嵌套式对...
异质结材料是由两种不同元素或不同成分材料所构成的一定结型的半导体材料。结两边的导电类型由掺杂控制，掺杂类型相同的称为“同型异质结”，掺杂类型不同的称为“异型异质结”。由于结两边材料的禁带宽度和其他特性不同制作的器件可获得高放大倍数和高响应速度。可采用液相外延、气相外延、金属有机物化学气相沉积和...
本体异质结(bulk heterojunction)，是指n型半导体和p型半导体在整个区域范围内充分混合且界面分布于整个区域范围的pn结。本体异质结可通过将含有n型半导体材料和p型半导体材料的混合溶液以旋涂、丝网印刷和喷墨打印等方式制备，也可通过共同蒸镀的方式获得，还可以通过热处理的方式将真空蒸镀的平面型双层异质结转换为本体...
异质结(HIT)是一种特殊的PN结,由非晶硅和晶体硅材料形成,是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜,属于N型电池中的一种。HIT(Heterojunction with Intrinsic Thinfilm)电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发,因HIT已被三洋注册为商标,因此又被称为HJT、HDT、或SHJ。看到这几个单词都是指同一个东西。
—异质结电池。异质结是一种特殊的PN结，由非晶硅和晶体硅组成。它是一种N型电池，其中非晶硅薄膜沉积在晶体硅上。HIT(具有本征薄膜的异质结)电池由日本三洋公司于1990年首先研制成功。因为HIT已被三洋注册为商标，所以也被称为HJT、HDT或SHJ。看到这几个字不要晕，都是一个意思。
异质结电池是一种高效晶硅太阳能电池结构，利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，即在P型氢化非晶硅和N型氢化非晶硅与N型硅衬底之间增加一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜。异质结，两种不同的半导体相接触所形成的界面区域。按照两种材料的导电类型不同，异质结可分为同型异质结（P-p...
1. 异质结电池，一种结合了晶体硅和非晶硅的太阳能电池技术，以其高效率和优越性能受到关注。这种电池通过在P型和N型硅材料之间加入一层本征非晶硅层，形成了特殊的界面区域，称为异质结。2. 异质结的构造可以分为同型异质结（如P-P或N-N结）和异型异质结（如P-N或N-P结），当两种半导体材料...
应变异质结的无界面失配应变层的生长模式称为赝晶生长。这种赝晶生长模式不能稳定地无限生长材料，因为随应变层厚度的增加，伴随应变的弹性能量不断积累到一定程度时，应变能量将通过在界面附近产生位错缺陷而释放出来，应变层转变为应变完全弛豫的无应变层，因此，赝晶生长存在一个临界厚度hc。实验证明赝晶生长的临界厚度...