在P型半导体材料上扩散磷元素,形成n+/p型结构的太阳电池即为P型电池片;在N型半导体材料上注入硼元素,形成p+/n 型结构的太阳电池即为N型电池片。 P型电池制作工艺相对简单,成本较低,主要是BSF电池和PERC电池。2015年之前,BSF电池占据90%市场;2016年之后,PERC电池接棒起跑,到2020年,PERC电池在全球市场中的占比...
P-IBC 电池工艺依旧使用的是 P 型硅片,但增加了二氧化硅隧穿层,多晶硅 膜,并对激光设备进行了升级,因此在 PERC 电池设备的基础上增加了 LPCVD, 镀膜清洗设备,并对激光设备进行了升级,整体投资在 2.2-2.6 亿元/GW, 按照 7 年折旧计算,折合设备成本 0.033 元/W,较 PERC 高 0.014 元/W。HJT 设备与其他电池...
使用p型单晶硅衬底,直接形成n+掺杂层,而在电极制作过程中,烧结形成金属电极时,同时形成p+层,无需现有技术中制作n型ibc电池过程中的b扩散工艺,避免了多次掩膜及清洗等工序,大大降低了ibc电池工艺流程的复杂度,可以兼容传统晶体硅生产线,制备工艺简单,相对投资成本低,具有极大的市场竞争力。
本发明公开了一种P型IBC电池及其制备方法,涉及太阳能电池技术领域。制备方法包括硅片制绒、背抛光,正面形成第一氧化隧穿层、P型非晶硅层和第一掩膜层;背面形成第二氧化隧穿层、N型非晶硅层和第二掩膜层;高温处理得到P型多晶硅层、N型多晶硅层;且使得P型非晶硅层中的掺杂元素向硅片内扩充,形成重掺P型硅层;背面...
当谈及PERC、TOPCon、HJT、N-IBC和P-IBC等晶硅太阳能电池技术时,实际上涉及了多种先进的光伏电池结构和工艺。以下是对这些技术及其工艺流程的专业阐述和讲解: PERC(Passivated emitter and rear cell):PERC技术是在晶硅太阳能电池中引入的一项改进,通过在电池的背面形成有效的氧化层,减少电子和空穴的复合,提高了电...
1.一种p型ibc电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 2.如权利要求1所述的p型ibc电池的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,采用pecvd制备所述第一氧化隧穿层、p型非晶硅层和第一掩膜层; 3.如权利要求1所述的p型ibc电池的制备方法,其特征在于,步骤(4)中,采用pecvd制备所述第二氧化隧穿层、n型非晶硅层和...
一种P型IBC电池制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种P型IBC电池制备方法说明:本发明涉及一种P型IBC电池制备方法,包括:(1)对P型硅片进行预处理;(2)先在硅片背面沉积隧穿氧...专利查询请上爱企查
摘要 本实用新型公开一种P型IBC电池结构,电池结构包括依次设置的正面减反射和钝化膜叠层、P型单晶硅基底、背面N型扩散层、背面减反射和钝化膜叠层以及设置于背面减反射和钝化膜叠层之上的正负金属电极;所述P型单晶硅基底的背面设有抛光面,在所述抛光面为背面N型扩散层。本实用新型提出的P型IBC电池结构,与Topcon高...
本发明公开了一种P型IBC太阳能电池电极结构,包括主栅线,所述主栅线设置于太阳能电池上,所述主栅线的两侧均设置有“匚”形副栅线,所述“匚”形副栅线与主栅线留有间隙;每根所述主栅线一侧的“匚”形副栅线通过引栅线相连,相邻所述主栅线上的“匚”形副栅线交错设置、互不相连;所述引栅线通过引栅...
晚上聊的隆基电池专家 20220323: 1、隆基的PIBC(P型IBC,也叫TBC),正面无栅线效率高,基本单玻,适合屋顶场景,定位出口为主。(隆基地面电站用的电池路线,还待定) 2、薄片化:薄片化不友好,165微米以下硅片会弯曲,与topcn类似。 3、成本:新建3亿每GW(除了泰州的4GW改造,其余都新建)。