在P型半导体材料上扩散磷元素,形成n+/p型结构的太阳电池即为P型电池片;在N型半导体材料上注入硼元素,形成p+/n 型结构的太阳电池即为N型电池片。 P型电池制作工艺相对简单,成本较低,主要是BSF电池和PERC电池。2015年之前,BSF电池占据90%市场;2016年之后,PERC电池接棒起跑,到2020年,PERC电池在全球市场中的占比...
ibc(interdigitatedbackcontact)电池,也即背接触型太阳能电池从结构上打破传统晶体硅电池的结构限制,为提高电池转换效率提供较大空间。 现有技术中ibc太阳能电池的衬底通常n型硅衬底,常规制作工艺为:去损伤层及制绒—双面扩散形成n+层—刻蚀并去psg—淀积或印刷形成掩膜—腐蚀形成p+掺杂区—扩散形成p+掺杂层—形成正...
摘要 本实用新型公开一种P型IBC电池结构,电池结构包括依次设置的正面减反射和钝化膜叠层、P型单晶硅基底、背面N型扩散层、背面减反射和钝化膜叠层以及设置于背面减反射和钝化膜叠层之上的正负金属电极;所述P型单晶硅基底的背面设有抛光面,在所述抛光面为背面N型扩散层。本实用新型提出的P型IBC电池结构,与Topcon高...
摘要 本申请提供一种P型IBC电池结构及其制作方法,在P型IBC电池制作过程中,使用P型单晶硅衬底,直接形成N+掺杂层,而在电极制作过程中,烧结形成金属电极时,同时形成P+层,无需现有技术中制作N型IBC电池过程中的B扩散工艺,避免了多次掩膜及清洗等工序,**降低了IBC电池工艺流程的复杂度,可以兼容传统晶体硅生产线,制备工...
摘要 本实用新型公开了一种P型IBC太阳能电池电极结构,包括主栅线,所述主栅线设置于太阳能电池上,所述主栅线的两侧均设置有“匚”形副栅线,所述“匚”形副栅线与主栅线留有间隙;每根所述主栅线一侧的“匚”形副栅线通过引栅线相连,相邻所述主栅线上的“匚”形副栅线交错设置、互不相连;所述引栅线通...
(54)发明名称P型IBC电池结构及其制作方法(57)摘要本申请提供一种P型IBC电池结构及其制作方法,在P型IBC电池制作过程中,使用P型单晶硅衬底,直接形成N+掺杂层,而在电极制作过程中,烧结形成金属电极时,同时形成P+层,无需现有技术中制作N型IBC电池过程中的B扩散工艺,避免了多次掩膜及清洗等工序,大大降低了IBC电池工艺...
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种P型IBC太阳能电池电极结构,包括主栅线,所述主栅线设置于太阳能电池上,所述主栅线的两侧均设置有“匚”形副栅线,所述“匚”形副栅线与主栅线留有间隙;每根所述主栅线一侧的“匚”形副栅线通过引栅线相连,相邻所述主栅线上的“匚”形副栅线交错设置、互...
P型IBC电池结构及其制作方法 (57)摘要 本申请提供一种P型IBC电池结构及其制作方法，在P型IBC电池制作过程中，使用P型单晶硅 衬底，直接形成N+掺杂层，而在电极制作过程中，烧结形成金属电极时，同时形成P+层，无需现有技术中制作N型IBC电池过程中的B扩散工艺，避免了多次掩膜及清洗等工序，大大降低了IBC电池工艺...
两种P-IBC电池结构 工艺流程①:刻蚀掩膜 工艺流程②:全激光 其他企业P-IBC进展: 江苏日托于2021年3月申请的专利《一种P型IBC电池的制备方法》,采用P 型硅片作为衬底,正背面均无需硼掺杂,且不需要掩膜和光刻,工艺步骤简单,将传统 IBC复杂的过程(18步)简化为12步,生产成本明显降低。
两种P-IBC电池结构 工艺流程①:刻蚀掩膜 工艺流程②:全激光 其他企业P-IBC进展: 江苏日托于2021年3月申请的专利《一种P型IBC电池的制备方法》,采用P 型硅片作为衬底,正背面均无需硼掺杂,且不需要掩膜和光刻,工艺步骤简单,将传统 IBC复杂的过程(18步)简化为12步,生产成本明显降低。