1.一种p-i-n异质结终端,其特征在于,由下到上依次包括ni欧姆电极、sic衬底、n+-sic缓冲层和n-sic层,n-sic层外侧设置有aln插层,aln插层上侧设置有p-gan帽层,p-gan帽层上侧和n-sic层上侧设置有ni肖特基电极,ni肖特基电极上侧设置有au电极,au电极上侧、ni肖特基电极边侧、p-gan帽层边侧、aln插层边侧和n-si...
钙钛矿太阳能电池的内置电场是由异质结(p-n结)形成的。这种内置电场通过降低界面电子密度来加速电荷的...
1.一种基于层状材料p-i-n异质结的雪崩探测器,其特征在于,所述的雪崩探测器包括在基底上设有自下到上的结构: 衬底绝缘层,所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底; p-i-n异质结,所述p-i-n异质结包括p-型半导体二维薄膜材料(薄膜层),所述p-型半导体二维薄膜材料即薄膜层叠放在一个包括确定层数的氮化硼...
9.为实现上述目的,按照本发明的一个方面,提供了一种热载流子双向分离型类p-i-n型二维异质结,所述异质结为三明治结构,所述异质结自下而上的包括n型半导体材料、具有纳米结构的金属和p型半导体材料;或者,所述异质结自下而上的包括p型半导体材料、具有纳米结构的金属和n型半导体材料。其中,n型半导体材料厚度为0.6-...
摘要 一种基于层状材料p‑i‑n异质结的雪崩探测器,所述的雪崩探测器包括在基底上设有自下到上的结构:衬底绝缘层,所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底;p‑i‑n异质结,所述p‑i‑n异质结包括p‑型半导体二维薄膜材料,所述p‑型半导体二维薄膜材料即薄膜层5叠放在一个包括确定层数的氮化硼...
此外,通过编程α-In2Se3的铁电极化来提高内建电位,短路电流密度增加了25倍以上。总体而言,短路电流密度高达468 mA cm-2,比典型的横向vdWHs高一到两个数量级。这项工作展示了基于铁电范德华p-i-n异质结的高性能光电器件的潜力。 图文导读 图1. 合成的(BA)2(MA)2Pb3I10钙钛矿的表征。
1) P-I-N structure P-I-N异质结 2) Cu2O/ZnO/ITO p-i-n heterojunction Cu2O/ ZnO/ITO p-i-n异质结 3) pⅨ pⅨ 1. Construction of a new phagemid for phage display using phage coat proteinpⅨand its primary evaluation; 新型pⅨ噬菌体展示系统的建立及初步评价 ...
通过精准设计、合成功能性富勒烯衍生物作为钙钛矿和PCBM之间的媒介层,不仅可以诱导PCBM薄膜生长,改善基于PCBM电子传输层的平面异质结钙钛矿太阳能电池器件稳定性较差的难题,还可以治愈钙钛矿薄膜中的缺陷,优化器件能级,最终实现电池性能的进一步提高,为p-i-n型平面异质结钙钛矿太阳能电池走向商业化提供了新途径。
资料介绍 太阳能电池 声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。举报投诉 -- 资料--|积分-- 查看他上传的所有资料 ...
特别地,Ⅰ型异质结中的等离激元效应几乎被忽略,这预示着对于大电势差的p-n Ⅰ型异质结的分离效应会被严重低估。因此,通过调控Ⅰ型异质结界面处的等电聚焦效应来实现具有特定电子结构的光生载流子的分离具有重要意义。基于此,北京航空航天大学张俊英和北京科技大学王荣明等在密度泛函理论(DFT)计算的指导下,采用...