钙钛矿太阳能电池的内置电场是由异质结（p-n结）形成的。这种内置电场通过降低界面电子密度来加速电荷的...
1.一种p-i-n异质结终端,其特征在于,由下到上依次包括ni欧姆电极、sic衬底、n+-sic缓冲层和n-sic层,n-sic层外侧设置有aln插层,aln插层上侧设置有p-gan帽层,p-gan帽层上侧和n-sic层上侧设置有ni肖特基电极,ni肖特基电极上侧设置有au电极,au电极上侧、ni肖特基电极边侧、p-gan帽层边侧、aln插层边侧和n-si...
XPS谱和界面结合能计算结果表明，界面Sn-S键可能作为传输通道加速界面电荷-载流子转移，而界面电场有效地驱动了光生载流子的分离；因此，p-n Ⅰ型异质结构的SnS/ZnIn2S4能够促进光生载流子分离并抑制电荷复合，保留ZnIn2S4导带上的高还原电子用于析氢反应。总的来说，该项研究深入研究了Ⅰ型异质结界面电场的作用...
总体而言,短路电流密度高达468 mA cm-2,比典型的横向vdWHs高一到两个数量级。这项工作展示了基于铁电范德华p-i-n异质结的高性能光电器件的潜力。 图文导读 图1. 合成的(BA)2(MA)2Pb3I10钙钛矿的表征。 图2. 铁电p-i-n异质结的器件制备过程和光伏效应(器件1)。 图3. 基于铁电p-i-n异质结的自供电光...
一种P-I-N异质结终端,其特征在于,由下到上依次包括Ni欧姆电极、SiC衬底、n+-SiC缓冲层和n-SiC层,n-SiC层外侧设置有AlN插层,AlN插层上侧设置有p-GaN帽层,p-GaN帽层上侧和n-SiC层上侧设置有Ni肖特基电极,Ni肖特基电极上侧设置有Au电极,Au电极上侧、Ni肖特基电极边侧、p-GaN帽层边侧、AlN插层边侧和n-SiC...
本发明公开了热载流子双向分离型类p‑i‑n型二维异质结及制备方法、器件。所述异质结为三明治结构,所述异质结自下而上的包括n型半导体材料、具有纳米结构的金属和p型半导体材料;或者,所述异质结自下而上的包括p型半导体材料、具有纳米结构的金属和n型半导体材料。所述制备方法包括:在衬底表面沉积一层n型半导体...
通过精准设计、合成功能性富勒烯衍生物作为钙钛矿和PCBM之间的媒介层,不仅可以诱导PCBM薄膜生长,改善基于PCBM电子传输层的平面异质结钙钛矿太阳能电池器件稳定性较差的难题,还可以治愈钙钛矿薄膜中的缺陷,优化器件能级,最终实现电池性能的进一步提高,为p-i-n型平面异质结钙钛矿太阳能电池走向商业化提供了新途径。
【科学家开发短波红外技术】北京大学张志勇教授的团队研发了一种创新的异质结门控场效应晶体管(HGFET),专门用于短波红外(SWIR)检测。这种HGFET结合了基于胶体量子点(CQD)的p-i-n异质结与碳纳米管(CNT)场效应晶体管,能够在保持低噪声的同时,有效检测并放大短波红外信号,展现出极高的灵敏度和内在增益。在1300纳米波...
摘要: 基于等效薄层电荷近似模拟表征极化电荷的作用,通过自洽求解Poisson-Schrodinger方程以及求解载流子连续性方程,计算并且讨论了p-AlGaN层掺杂浓度和界面极化电荷对AlGaN/GaN异质结p-i-n紫外探测器能带结构和电场分布以及光电响应的影响.结果表明,极化效应与p-AlGaN层掺杂浓度相互作用对探测器... 查看全部>> ...
有源区的P侧有一电子势垒,N侧有一空穴势垒,它们分别阻止电子或空穴流出有源区,载流子几乎全限制在有源区内,使得注入到有源区中的载流子浓度N足够高。而受激发射增益系数gNm(室温m=2～3),因而增益加大。有源区可采用P型、N型或不掺杂的半导体材料,并适当选择异质结中的宽带隙材料,使其折射率和中间窄带隙...