钙钛矿太阳能电池的内置电场是由异质结（p-n结）形成的。这种内置电场通过降低界面电子密度来加速电荷的...
1.一种p-i-n异质结终端,其特征在于,由下到上依次包括ni欧姆电极、sic衬底、n+-sic缓冲层和n-sic层,n-sic层外侧设置有aln插层,aln插层上侧设置有p-gan帽层,p-gan帽层上侧和n-sic层上侧设置有ni肖特基电极,ni肖特基电极上侧设置有au电极,au电极上侧、ni肖特基电极边侧、p-gan帽层边侧、aln插层边侧和n-si...
1.一种基于层状材料p-i-n异质结的雪崩探测器,其特征在于,所述的雪崩探测器包括在基底上设有自下到上的结构: 衬底绝缘层,所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底; p-i-n异质结,所述p-i-n异质结包括p-型半导体二维薄膜材料(薄膜层),所述p-型半导体二维薄膜材料即薄膜层叠放在一个包括确定层数的氮化硼...
9.为实现上述目的,按照本发明的一个方面,提供了一种热载流子双向分离型类p-i-n型二维异质结,所述异质结为三明治结构,所述异质结自下而上的包括n型半导体材料、具有纳米结构的金属和p型半导体材料;或者,所述异质结自下而上的包括p型半导体材料、具有纳米结构的金属和n型半导体材料。其中,n型半导体材料厚度为0.6-...
摘要 一种基于层状材料p‑i‑n异质结的雪崩探测器,所述的雪崩探测器包括在基底上设有自下到上的结构:衬底绝缘层,所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底;p‑i‑n异质结,所述p‑i‑n异质结包括p‑型半导体二维薄膜材料,所述p‑型半导体二维薄膜材料即薄膜层5叠放在一个包括确定层数的氮化硼...
此外,通过编程α-In2Se3的铁电极化来提高内建电位,短路电流密度增加了25倍以上。总体而言,短路电流密度高达468 mA cm-2,比典型的横向vdWHs高一到两个数量级。这项工作展示了基于铁电范德华p-i-n异质结的高性能光电器件的潜力。 图文导读 图1. 合成的(BA)2(MA)2Pb3I10钙钛矿的表征。
1) P-I-N structure P-I-N异质结 2) Cu2O/ZnO/ITO p-i-n heterojunction Cu2O/ ZnO/ITO p-i-n异质结 3) pⅨ pⅨ 1. Construction of a new phagemid for phage display using phage coat proteinpⅨand its primary evaluation; 新型pⅨ噬菌体展示系统的建立及初步评价 ...
通过精准设计、合成功能性富勒烯衍生物作为钙钛矿和PCBM之间的媒介层,不仅可以诱导PCBM薄膜生长,改善基于PCBM电子传输层的平面异质结钙钛矿太阳能电池器件稳定性较差的难题,还可以治愈钙钛矿薄膜中的缺陷,优化器件能级,最终实现电池性能的进一步提高,为p-i-n型平面异质结钙钛矿太阳能电池走向商业化提供了新途径。
通过精准设计、合成功能性富勒烯衍生物作为钙钛矿和PCBM之间的媒介层,不仅可以诱导PCBM薄膜生长,改善基于PCBM电子传输层的平面异质结钙钛矿太阳能电池器件稳定性较差的难题,还可以治愈钙钛矿薄膜中的缺陷,优化器件能级,最终实现电池性能的进一步提高,为p-i-n型平面异质结钙钛矿太阳能电池走向商业化提供了新途径。
AlGaN异质结p-i-n型雪崩探测器AlGaN 异质结 p-i-n 型雪崩探测器 和浩田;李兰;王璇伟;邵振广;于海林;冯金福;刘玉申 【期刊名称】《常熟理工学院学报》 【年(卷),期】2017(031)004 【摘要】高增益 AlGaN 日盲雪崩探测器在国防安全与生命科学领域有重要的应用 价值.本文通过引入 Al0.2Ga0.8N/Al0.4Ga0.6N ...