钙钛矿太阳能电池中的内建电场是理解其高效光电转换机制的关键。以P-i-n型异质结为例，解析内建电场的形成机理。在P型材料中，空穴为多子。当P区材料与i层接触时，空穴会从P区扩散至i层，随后在i层中与电子复合，留下P区富含负离子，呈现负电性。这种现象在N型材料中也类似，电子扩散至i层与空穴...
1.一种p-i-n异质结终端,其特征在于,由下到上依次包括ni欧姆电极、sic衬底、n+-sic缓冲层和n-sic层,n-sic层外侧设置有aln插层,aln插层上侧设置有p-gan帽层,p-gan帽层上侧和n-sic层上侧设置有ni肖特基电极,ni肖特基电极上侧设置有au电极,au电极上侧、ni肖特基电极边侧、p-gan帽层边侧、aln插层边侧和n-si...
钙钛矿太阳能电池的内置电场是由异质结（p-n结）形成的。这种内置电场通过降低界面电子密度来加速电荷的...
1.一种基于层状材料p-i-n异质结的雪崩探测器,其特征在于,所述的雪崩探测器包括在基底上设有自下到上的结构: 衬底绝缘层,所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底; p-i-n异质结,所述p-i-n异质结包括p-型半导体二维薄膜材料(薄膜层),所述p-型半导体二维薄膜材料即薄膜层叠放在一个包括确定层数的氮化硼...
9.为实现上述目的,按照本发明的一个方面,提供了一种热载流子双向分离型类p-i-n型二维异质结,所述异质结为三明治结构,所述异质结自下而上的包括n型半导体材料、具有纳米结构的金属和p型半导体材料;或者,所述异质结自下而上的包括p型半导体材料、具有纳米结构的金属和n型半导体材料。其中,n型半导体材料厚度为0.6...
摘要 一种基于层状材料p‑i‑n异质结的雪崩探测器,所述的雪崩探测器包括在基底上设有自下到上的结构:衬底绝缘层,所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底;p‑i‑n异质结,所述p‑i‑n异质结包括p‑型半导体二维薄膜材料,所述p‑型半导体二维薄膜材料即薄膜层5叠放在一个包括确定层数的氮化硼...
此外,通过编程α-In2Se3的铁电极化来提高内建电位,短路电流密度增加了25倍以上。总体而言,短路电流密度高达468 mA cm-2,比典型的横向vdWHs高一到两个数量级。这项工作展示了基于铁电范德华p-i-n异质结的高性能光电器件的潜力。 图文导读 图1. 合成的(BA)2(MA)2Pb3I10钙钛矿的表征。
半导体p-n结,异质结和异质结构 PN结的伏安(I-V)特性：I为流过PN结的电流；Is为PN结的反向饱和电流，与温度和材料有关的参数，V为外加电压；Vt=kT/q,为温度的电压当量（Vt=26mV.），当外加正向电压V为正值且比Vt大几倍时,正向电流随正向电压的增加按指数规律增大,PN结为正向导通状态.外加反向电压即v为...
研制了一种采用混合的P-I-N异质结结构,基于混合ZnPc和C60的有机小分子太阳电池.该有机太阳电池光电转换由ZnPc和C60异质结混合成膜完成,电子和空穴分别通过n掺杂和P掺杂的宽带有机层传输至阴极和阳极,不同掺杂的电子或空穴传输层由精确控制两种有机小分子的蒸镀速率来实现;其中空穴传输层采用N,N,N',N'-Tetrakis...
半导体p-n结,异质结和异质结构03_半导体，本征半导体，半导体，本征半导体，非本征半导体 半导体:最外层价电子填满了价带，导带没有电子，半导体最外层价电子填满了价带，导带没有电子，有一定带隙宽度。有一定带隙宽度。在一定条件下使价带中的电子获得能量跃迁到导带中，在价带中形成空穴，量跃迁到导带中，在价带中...