PN结的空间电荷区(Space Charge Region, SCR),也称为耗尽层或耗尽区,因为空间电荷区起着阻挡载流子往对方输运的作用,是PN结中因载流子(电子和空穴)的重新组合而形成的少数载流子耗尽的区域。 当P型和N型半导体材料接触并形成PN结时,P型半导体中的空穴(正电荷载流子)和N型半导体中的电子(负电荷载流子)会因浓度梯度...
A. P+区 B. N区 C. P*和N区相同 D. 不能确定 如何将EXCEL生成题库手机刷题 如何制作自己的在线小题库 > 手机使用 分享 复制链接 新浪微博 分享QQ 微信扫一扫 微信内点击右上角“…”即可分享 反馈 收藏 举报参考答案: B 复制 纠错
其中,W_p为p区耗尽层宽度,ε_s为半导体材料的介电常数,V_bi为内建电压,q为元电荷,N_a和N_d分别为p区和n1区的杂质原子浓度。 4. 最大电场的计算 最大电场是指在p+-n1-n2结构中耗尽层边缘处的电场强度,其计算公式为: E_max = (V_bi/w_p) 其中,E_max为最大电场强度,V_bi为内建电压,w_p为...
对于P+N结来说,若反向偏置电压不变,N区的掺杂浓度越低,则耗尽层宽度( )。A.A.越宽B.B.越窄C.C.不变D.D.与N区的掺杂浓度无关
在无外加电压的情况下,利用p-n结空间电荷区中的电场分布图推导出:(1)内建电势Vbi=?(2)总空间电荷区宽度W=?(3)N型一侧的耗尽区宽度Xn= ?(4)P型一侧的耗尽区宽度x=?(5)冶金结处的最大电场Ema=2VbLmax«A«解:由(1)、(2)两方程得:
定性分析:形成pn结时，两侧掺杂类型不同，导致电子向p区，空穴向n区的扩散运动。电子和空穴扩散走以后，...
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{ 2εsε0NA Vbi / [ q (ND + NA ) ND ] }1/2 W = xn + xP = { 2εsε0 ( NA + ND ) Vbi / ( q ND NA ) }1/2 (1.4) 见到:耗尽层宽度(W) 与势垒高度( q Vbi ) 直接有关,p-n结的势垒高度和势垒宽度(耗尽层宽度)都由其中的电场分布来决定;势垒高度增加,势垒宽度也相应增厚...
1.在反偏的PN结中,电场峰值出现在(冶金结处)处,且N掺杂浓度越低,则耗尽区宽度越(宽),耐压越(高)。向P区扩展的耗尽区宽度比向N区扩展的耗尽区宽度(小),N区耗尽区