百度试题 题目PN 结处于反向偏置时耗尽层的宽度是变 相关知识点: 试题来源: 解析 宽
百度试题 题目PN 结反向偏置,其耗尽层会 ( ) 。 A.变窄B.变宽C.不变D.不能确定相关知识点: 试题来源: 解析 B
PN 结外加正向偏置电压时,扩散电流()漂移电流,空间电荷区( );加反向偏置电压时,扩 散电流( )漂移电流,耗尽层( )。A.大于B.小于 C 等于 D、变宽
半导体的场效应,是在半导体表面的垂直方向上加一电场时,电子和空穴在表面电场作用下发生运动,半导体表面载流子的重新分布,因而半导体表面的导电能力受到电场的作用而改变,即改变为加电压的大小和方向,可以控制半导体表面层中多数载流子的浓度和类型,或控制PN结空间电荷区的宽度,这种现象称半导体的场效应。(一)场效应管的分...
当我们外加电压使PN结正偏时,外加电场与空间电荷区内建电场方向相反。这一外加电场使得空间电荷区出现一个与内建电势反向的偏压,N型半导体相对于P型半导体电位降低,势垒的高度减小。 由于势垒高度减低,N型半导体的电子在外加电场的作用下就有较大的概率能越过势垒到达P型区,产生电流,而P型半导体的空穴也是类似,此...
百度试题 题目当PN 结正向偏置时,扩散电流___漂移电流,耗尽层___。当 PN 结反向偏置时,扩散电流___漂移电流。 (填大于、小于、等于、不变、变宽、变窄 ) 相关知识点: 试题来源: 解析
百度试题 题目当PN 结正向偏置时,耗尽层将 ,反向偏置时空间电荷区将 。相关知识点: 试题来源: 解析 变窄 变宽
本征激发产生的载流子浓度随温度增加急剧增大。束缚电子填补空穴的运动称空穴的运动。硅原子外层电子比锗离核近,受原子核束缚力大,在同样温度下本征激发小,温度稳定性好。2-1-4杂质半导体1.P型半导体在本征半导体中掺入微量3价元素(如硼)形成。+4+3+4+4+4空穴---多数载流子(多子)电子---少数载流子(少子)本征...
百度试题 题目PN 结反向偏置,其耗尽层会 ( ) 。A.变窄B.变宽C.不变D.不能确定 相关知识点: 试题来源: 解析 B