{ 2εsε0NA Vbi / [ q (ND + NA ) ND ] }1/2 W = xn + xP = { 2εsε0 ( NA + ND ) Vbi / ( q ND NA ) }1/2 (1.4) 见到:耗尽层宽度(W) 与势垒高度( q Vbi ) 直接有关,p-n结的势垒高度和势垒宽度(耗尽层宽度)都由其中的电场分布来决定;势垒高度增加,势垒宽度也相应增厚...
对于一般的PN结,这个耗尽区宽度不仅和掺杂有关,和内建电场也有关,如果一侧的浓度太浓,内建电场可能会增大,这个耗尽区宽度也可能变厚的。单边缓变结中,一侧的掺杂浓度远高于另一侧,导致耗尽区主要向低掺杂浓度侧扩展,如果提高高掺杂侧的浓度,由于耗尽区已经主要在低掺杂侧,提高高掺杂侧的浓度对低掺杂侧耗尽区宽度...
问答题已知硅p+n结n区电阻率为1Ω·cm,求pn结的雪崩击穿电压,击穿时的耗尽区宽度和最大电场强度。(硅pn结Ci=8.45×10-36cm-1,锗pn结Ci=6.25×10-34cm-1) 参考答案: 您可能感兴趣的试卷 你可能感兴趣的试题 1.问答题在杂质浓度ND=2×1015cm-3的硅衬底上扩散硼形成pn结,硼扩散的便面浓度为NA=1018...
? 反向电流不饱和 增大 增大 c * 设P型和N型侧的耗尽层宽度分别为xp和xn,整个空间电荷层宽度表示为W=x n +x p 耗尽层宽度与扩散电势差有关,具体的计算分情况讨论(了解) 空间电荷区的自建电场强度是非均匀电场,电场强度是x的函数 对于P+N突变结 * 2.2 加偏压的PN结 2.2.1 PN结的单向导电性 2.2.2 ...
其中晶片由两部分组成,一部分是p型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是n型半导体,在这边主要是电子,这两种半导体连接在一起就形成一个p-n结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向p区,在p区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是led发光的原理。 据了解,目 分享 1 赞 ...
其中,W_p为p区耗尽层宽度,ε_s为半导体材料的介电常数,V_bi为内建电压,q为元电荷,N_a和N_d分别为p区和n1区的杂质原子浓度。 4. 最大电场的计算 最大电场是指在p+-n1-n2结构中耗尽层边缘处的电场强度,其计算公式为: E_max = (V_bi/w_p) 其中,E_max为最大电场强度,V_bi为内建电压,w_p为...
p型区中的耗尽区宽度扩大,n型侧表面则缩小。由于p型一侧为重掺杂,耗尽区扩大得有 限,因此负斜角台面边缘处的表面耗尽宽度Ws比体内的耗尽宽度WB小。这就表明,该PND的 边缘电场比内部电场要大,因而更易产生击穿。通常认为,负倾角斜台面不适合作为功率器 件的终端结构。 [0109] 但是,在极小的倾斜角度和p型GaN...
(4)P型一侧的耗尽区宽度xD=?(5)冶金结处的最大电场max 相关知识点: 试题来源: 解析 解: 解:由(1)、(2)两方程得: (3)+(4)得: 解:将带入(3)和(4)得: 解:由方程(1)得: 当外加反向电压等于时: N型耗尽区上的压降: N型耗尽区上的压降: 内建电势: 半导体器件物理复习题...
3、 一个零偏压下的PN结电容 每单位面积的耗尽层电容 硅的介电常数 为 则耗尽层 宽度是A135um. B.125um C.135um D125um 温馨提示:仔细审题,沉着思考,认真答题,规范书写正确答案 点击免费查看答案 试题上传试题纠错猜您对下面的试题感兴趣:点击查看更多与本题相关的试题...