合成原始g-C3N4:20 g尿素粉,置于带盖石墨坩埚中,在马弗炉中以2℃min的升温速率从室温加热至500℃,保存4 h后自然冷却至室温。多孔g-C3N4的合成:将原始g-C3N41g放入无盖石墨坩埚中,在马弗炉中以5℃min的升温速率从室温加热至500℃...
g-C3N4(石墨相氮化碳)是一种非金属半导体材料,通常表现为n型半导体特性,而非p型。在工业生产中,其光催化性能常用于污水处理或制氢领域,B2B买家通常关注其载流子迁移率、带隙宽度(约2.7eV)及与其他材料的复合效果。我们平台汇集了多种改性g-C3N4供应商,可通过掺杂工艺调节其导电类型。如需定制p型半导体方案,欢迎留...
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瑞禧小编将三聚氰胺,三聚氰胺聚磷酸盐和SBA-15热共聚成功制备了磷掺杂的介孔石墨类氮化碳(P-mpg-C3N4),并通过场发射扫描电子显微镜(FESEM),X射线衍射光谱(XRD),傅里叶转换红外光谱(FT-IR),X射线光电子能谱(XPS),场发射扫描透射电镜能谱(EDS)和紫外可见光漫反射光谱(UV-vis-DRS)等方法对催化剂形貌结构和光...
(UV-vis-DRS)等方法对催化剂形貌结构和光学性能进行了表征.结果表明,磷元素成功地掺杂在氮化碳的结构上,呈均匀分布,相对于石墨相氮化碳(g-C3N4),其比表面积可达198.3m2/g,并因此提供大量的活性位点而提高光催化活性.P-mpg-C3N4对亮丽春红5R的光催化降解速率是g-C3N4的31.3倍,其光催化性能增强的机理是禁带宽度...
因为CO2还原反应需要较高的过电位来驱动,所以很少有人使用纯g-C3N4光催化还原CO2。因此,研究者将g-C3N4与其他半导体复合,可以有效提高g-C3N4光催化还原CO2的活性。Liang[3]等制备的 g-C3N4/CeO2可将CO2光催化还原成 CH4,从而将 CO2变成可直接利用的燃料。但目前光催化还原CO2的研究较少,且光催化剂较不稳定,...
金属氧化物纳米结构/ P掺杂g-C3N4纳米片的功能自组装及其低/无Pt负载条件下高效稳定可见光催化制氢,利用自组装法将n-型金属氧化物均匀组装至P掺杂石墨相氮化碳(g-C3N4)纳米片表面,解决了复合材料在光催化过程中由于材料团聚和界面接触差导致的载流子复合和传输阻力大的
目前,磷掺杂是控制(g-C3N4)电子结构的一种理想策略。早期报道发现磷源对掺杂位点的影响,光催化效率也因磷源的种类而不同。选择三聚氰胺和有机磷酸作为反应物,通过无模板共聚制备介孔磷掺杂的石墨氮化碳纳米结构花,发现在 (g-C3N4)中掺杂低浓度磷不会改变其骨架结构,而会引起材料电子性能的显著变化。此外,这种方法...
【引言】 通过太阳光光解水制氢是一种环保的可再生能源的制备技术,石墨碳氮化物(g-C3N4)尽管有明显的催化作用,仍然不能满足产生氢气的需要。g-C3N4纳米结构不仅可以加速光生电子空穴对的有效分离和转移,而且可以有效地防止光生载流子彼此复合。许多文献表明,在牺牲性
因此,最佳的Co2P@BP/gC3N4光催化剂显着提高了光催化稳定性、活性和CO2还原反应的选择性,对CO的选择性约为96%,生成速率为 16.21 µmol g-1h-1,是原始gC3N4的5.4倍。 机理实验和密度泛函理论(DFT)计算表明,Co2P@BP/gC3N4异质结的高选择性和活性归因于其*COOH、*CO和*+CO的吉布斯自由能低于纯BP/gC3N4和...