对于p掺杂的多孔g-C3N4,(002)衍射强度比多孔g-C3N4进一步降低,表明叠加的g-C3N4纳米片已经成功剥离成松散的三维纳米片。值得一提的是,(100)峰值在12.9多孔g-C3N4几乎消失,这是由于纳米片表面存在碳缺陷和异元素P掺杂。从图2(B)可...
g-C3N4是一种无金属有机高分子半导体,具有无毒、稳定、成本低等优点,被广泛应用于太阳能光催化制氢、光还原CO2和有机污染物等领域。然而,由于电荷载流子的快速复合、可见光-NIR光利用率差以及比表面积低等问题,其光催化活性受到了一定的限制。 近红外光(NIR)在这个领域中的应用受到了特别的关注。...
石墨相氮化碳(g-C3N4)是一种新型的有机半导体材料, 具有独特的层状结构、合适的能带位置、简单的制备方法以及出色的稳定性等特点, 因而被广泛应用于光催化产氢领域. 但是, 较高的光生载流子的复合率和受限的迁移率...
g-C3N4具有非常合适的半导体带边位置,满足光解水产氢产氧的热力学要求。与传统的TiO2光催化剂相比,g-C3N4还能有效活化分子氧,产生超氧自由基用于有机官能团的光催化转化和有机污染物的光催化降解。 二、g-C3N4在光催化领域的应用前景和优势 g-C3N4作为一种新型光催化剂,具...
g-C3N4的结构、合成及其在催化中的应用.doc,ⅠⅠ g-C3N4的结构、合成及其在催化中的应用 摘要:利用光催化技术可以有效地解决越来越严重的工业水污染治理问题,其中的核心是高效的设计和合成光催化材料。半导体光催化剂是目前应用最广泛的一种光催化剂。其中石墨化碳氮化
3N 4已成功应用于传感器㊁催化剂载体㊁储能材料等电化学领域㊂但由于g-C 3N 4作为半导体材料,与贵金属相比导电性很差,直接用作电催化剂材料并不理想㊂因此,一般通过对g-C 3N 4形貌调控㊁元素掺杂和与其他材料构建复合材料等手段对其进行改性[22-27]㊂本文综述了近年g-C 3N 4及 其复合材料电催化还原...
近日,该课题组成功开发了一种新型的碱辅助合成方法,制备了富含氮缺陷的g-C3N4纳米片,原位引入的体相和表面氮缺陷有利于拓展材料的可见光吸收范围以及光生载流子的分离能力。实验通过控制合成过程中碱的加入量,得到了一系列不同氮缺陷浓度的g-C3N4,其禁带宽度可随缺陷浓度的升高逐渐变窄,材料吸收光谱发生整体红移,与...
作者以g-C3N4为前驱体,通过镁热还原贫氮工艺成功制备合成了贫氮g-C3N4(ND-g-C3N4)材料,化学反应过程为:g-C3N4+ 3x/2 Mg®g-C3N4-x+ x/2 Mg3N2。通过XRD,Raman光谱、XPS分析、TEM形貌、BET孔径分布等表征显示所制备的贫氮g-C3N4材料是氮掺杂多孔石墨烯。得益于贫氮g-C3N4材料的高比表面积和孔隙率以及...
有巨大潜力。石墨相氮化碳(g-C3N4)是一种非金属半导体光催化剂材料,有着类似 于石墨的二维层状结构、合适的禁带宽度、较好的热稳定性和化学稳定性等优点,是 目前极具竞争力的半导体光催化材料之一。然而,体相g-C3N4易团聚导致比表面积较 小,且可见光响应范围窄,对光子的捕获能力较弱,光生载流子复合能高以及分离...
2018 do i: 10.3969/j.issn.1672–6146.2018.03.006 g-C 3 N 4 的制备及表征 周淑慧, 刘世凯, 刘鑫鑫 (河南工业大学 材料科学与工程学院, 河南 郑州, 450001) 摘要: 以尿素为前驱体, 以不同的反应温度、升温速度、保温时间制得 g-C 3 N 4 , 探索制备 g-C 3 N 4 的最优条件。结果表明: 制备 ...