pchannel mosfet（P型沟槽MOSFET）是一种新型mosfet，它采用p-Channel结构来控制电流。企业名片 p-Channel MOSFET具有高开关速度、低导通电阻和高驱动电压的特性，其开关频率高达MHz以上，是传统mosfet的10倍以上。pchannel mosfett在应用方面主要适用于高速数字信号处理系统（DSP）、通信系统、电力电子和功率半导体等领域...
这使得 P 沟道 MOSFET 成为高边开关的理想之选。器件设计简洁,有利于在有限空间内打造低压驱动应用和非隔离 POL 产品。P 沟道 MOSFET 特性的一大优势在于可简化栅极驱动技术,这通常可降低整体成本。 P沟道功率MOSFET产品 英飞凌提供各种P沟道功率MOSFET电压。请在下面浏览我们的产品。
采用P沟道MOSFET技术,具有低导通电阻和高性能的特点。丝印标识为VBI2338,封装为SOT89-3,适用于各种应用场合。 ### 详细参数说明 - 类型: P沟道- 额定电压 (VDSS): -30V- 最大电流 (ID): -5.8A- 导通电阻 (RDS(ON)): 50mΩ @ VGS=10V; 20V- 门阈电压 (Vth): -0.6~-2V- 封装: SOT89-3 ##...
关于使用P-ChannelMOSFET-P沟道绝缘栅型场效应管 作为开关的电源控制电路说明 1、本说明适用于使用P沟道绝缘栅型场效应管作为开关的电源控制电路。 P-ChannelMOSFET 2、现有的此类MOS管为IRF5305、IRLMS6802等。 基本参数: 参数(最大值)IRF5305IRLMS6802 V DS -55-20V ID-31-5.6A V GS ±20±12V ∣I GSS...
1. **电源管理模块:** 由于其P—Channel沟道特性,适用于电源开关和电源管理模块,可用于稳定和调整电源输出。 2. **功率逆变器:** 在功率逆变器中,可以用于控制电流和电压,适用于需要P—Channel MOSFET的电路。 3. **电流控制模块:** 由于具有较低的开启电阻和较高的漏极电流,可用于电流控制模块,确保有效的...
P沟道功率金属氧化物（半导体）场效应晶体管Power MOSFET功率金属氧化物（半导体）场效应晶体管 power MOSFET 能够控制超过1 A电流而不发生损伤和毁坏的金属氧化物场效应晶体管,有些可以控制高达100 A的电流,另一些可以控制高达1200 v的电压,它应用于高频开关稳压电源和马达控制.
MOSFET MOS管 VBsemi 型号: D413F-VB 品牌: VBsemi(微碧) --- 产品参数 --- 封装 TO252封装 沟道 P—Channel 微碧半导体VBsemi 1.2w內容 | 27w+浏览量 | 7粉丝 +关注 产品详情 数据手册 产品推荐--- 产品详情 --- 以下是D413F-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的语段形式说明: ##...
λ is the channel modulation. To specify the parallel conductance of the channel, connect an Environment Parameters block to the electrical network. Then, set the minimum conductance of the P-Channel MOSFET block and other SPICE-compatible blocks by setting the GMIN parameter of the Environment Par...
2SJ205-VB是一款采用P-Channel沟道的SOT89-3封装形式的MOSFET晶体管,其参数如下: - 工作电压范围:30V - 最大漏电流:5.8A - RDSON(导通电阻)值:50mΩ @ VGS = 10V - 阈值电压(Vth):-0.6~-2V 这款MOSFET晶体管适用于低功耗、高性能的电子设备,如电源管理模块、信号处理电路等。
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